温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种硅的干法刻蚀方法，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀，以去除聚合物；所述进行干法刻蚀的刻蚀气体包括Cl2和O2，其中：所述Cl2的流量速率范围包括60sccm～150sccm；所述O2的流量速率范围包括5sccm～20s...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。