一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法技术

一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，首先，对硅片进行酸腐蚀去除硅，得到一定厚度的硅片；其次，对厚度变薄的硅片进行碱腐蚀至硅片的表面致密均匀；最后，对表面致密均匀的硅片进行二次酸腐蚀，得到符合厚度要求、表面致密均匀的硅片。本发明专利技术利用酸腐蚀能快速去除硅及碱腐蚀能获得致密均匀的表面这一原理，采用腐蚀方式对硅片进行处理，获得厚度符合要求、表面致密均匀的硅片；腐蚀工艺流程具有工艺简单、操作简易、能耗小、硅片一致性好、表金欧姆接触面积大和破片率低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片制造工艺，尤其是除去加工表面残留的损伤层，以获得平整， 光洁，无损伤层的硅片制作工艺，具体地说是一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制 备方法。
技术介绍
目前，平面型固体放电管芯片制造工艺流程为单晶硅、电阻检测、酸腐蚀、抛光、 氧化、光刻、硼扩、光刻、磷扩、光刻、表金、光刻、合金、测试、划片、挑废、芯片入库。可见，常规平面型二三极管芯片制造工艺中，想要获得厚度符合要求、表面致密均勻的硅片需要经过酸腐蚀和抛光的步骤。抛光工艺的目的要求是进一步除去加工表面残留的损伤层，以获得平整，光洁， 无损伤层，具有一定厚度的晶片。要求厚度为21 士 1丝，表面无拉丝、白雾、桔皮状、水迹， 并每片厚度均勻，片与片厚度一致。抛光工艺的准备工作包括1、将腐蚀硅片用千分尺按厚度分档(要求每当厚度范围0. 5丝)。2、将抛光盘放在电炉上开启电源待温度升到100—150摄氏度时，将抛光腊均勻地涂化在抛光盘上，然后取出一档硅片正面向上排帖在抛光盘上，自然冷却。3、四氯化碳棉球将多余的抛光腊擦掉，然后用肥皂水将其擦拭干净然后把抛光盘放入水池用流动水将肥皂水冲净待用。抛光工艺的操作过程包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，其特征是它包括以下步骤：首先，对硅片进行酸腐蚀去除硅，得到一定厚度的硅片；其次，对厚度变薄的硅片进行碱腐蚀至硅片的表面致密均匀；最后，对表面致密均匀的硅片进行二次酸腐蚀，得到符合厚度要求、表面致密均匀的硅片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国勇，
申请(专利权)人：宜兴市环洲微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32