低电容高速传输半导体浪涌保护器件制造技术

技术编号:8564051 阅读:198 留言:0更新日期:2013-04-11 06:10
本发明专利技术公开了一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件,包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区,其中在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。其反应迅速,性能稳定,长期使用性能不下降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于固体放电管,具体涉及一种平面型固体放电管芯。
技术介绍
固体放电管又叫半导体放电管,是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。但由于基区和发射区交界面承受较高反向电压,加上制作工艺的限制,单个PN结的耐压一般不超过400V ;而且容易漏电,长时间使用后稳定性下降。
技术实现思路
本专利技术的目的是在现有技术的基础上,提供一种耐闻压且反应灵敏的低电容闻速传输半导体浪涌保护器件。本专利技术的技术方案是低电容高速传输半导体浪涌保护器件,包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区,其中在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。`本半导体浪涌保护器件的表面覆有焊片,当浪涌电流达到80A 100A以上、电压达到4000V以上时,本器的热量迅速`上升并超过焊料(焊片)熔点,焊料进入氧化区域,这样该电路可迅速保护通讯网络及其他设备的电路。其反应迅速,性能稳定,长期使用性能不下降。附图说明图1是本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件,包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区,其特征在于在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。

【技术特征摘要】
1.一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件,包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对...

【专利技术属性】
技术研发人员:史田元胡蛇庆
申请(专利权)人:江苏锦丰电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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