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一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法，首先，对硅片进行酸腐蚀去除硅，得到一定厚度的硅片；其次，对厚度变薄的硅片进行碱腐蚀至硅片的表面致密均匀；最后，对表面致密均匀的硅片进行二次酸腐蚀，得到符合厚度要求、表面致密均匀的硅片。本发明利...
该专利属于宜兴市环洲微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜兴市环洲微电子有限公司授权不得商用。

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