【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着芯片制造线宽愈来愈向细微化发展，对半导体工艺提出更高更难的要求不但要刻蚀出精确的线条，而且线路缺陷要控制在一定范围内，以保证芯片的功能和成品率。 而颗粒污染(Particle Issue)成为影响芯片的功能和成品率的最主要的因素之一。统计数据表明由颗粒污染导致的成品率损失要占总成品率损失的80%，而且， 颗粒污染的数目越多，圆片的成品率就会越低，为此，有效的颗粒污染控制对成品率的提高至关重要。在公开号为CN101414558A的中国专利文件中还可以发现更多有关颗粒污染控制的相关信息。现有技术通常通过颗粒模拟基片来测试颗粒污染情况并相应控制颗粒污染，具体地，先测试所述颗粒模拟基片的测试表面的颗粒前值，然后采用所述颗粒模拟基片进行相应的半导体工艺，并测试所述颗粒模拟基片的颗粒后值，并将所述颗粒后值减去所述颗粒前值得到对应半导体工艺的颗粒增加值，并根据所述颗粒增加值来判断颗粒污染的程度。所述颗粒模拟基片的测试表面要求颗粒(Particle Issue)低于小于一定数量，且所述颗粒模拟基片相当昂贵。但，所述颗...
【技术保护点】
１．一种纳米级颗粒模拟基片再加工方法，其特征在于，包括：提供颗粒模拟基片，所述颗粒模拟基片包括：衬底，位于衬底表面的热氧化层，所述热氧化层具有测试表面；沿所述测试表面对所述热氧化层进行化学机械抛光，使得抛光后的所述测试表面的颗粒数量小于１００。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：纪登峰，赵波，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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