A method for etching characteristics in a dielectric layer on a substrate is provided. The substrate with the dielectric layer is placed on the lower electrode of the etching reaction chamber, wherein the dielectric layer is on the substrate. The etching gas is transferred into the etching reaction chamber. The first RF power having the first frequency is transmitted into the etching reaction chamber, wherein the first frequency is between 100kHz and 600kHz. A second RF power with a second frequency is transmitted into the etch reaction chamber, wherein the second frequency is at least 10MHz. The dielectric layer is etched to form at least one ultra high aspect ratio (UHAR) characteristic. This method can reduce the distortion in ultra-high aspect ratio feature etching.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造。
技术介绍
等离子刻蚀工艺在半导体制造过程中被广泛使用。一般来说，光阻材料在要刻蚀的晶片表面上形成特征图案，然后通过将该晶片暴露于特定类型的刻蚀气体中将特征刻入该晶片。等离子体刻蚀中面临的一个挑战是满足设计要求所需要的不断增大的纵横比，尤其是对于超高密度的结构来说。当在半导体晶片上刻蚀特征时，刻蚀的特征被定义为该特征的深度(d)和该特征的宽度(W)或直径之间的比例。随着越来越多的特征被封装在单片晶片上，以创建更高密度的结构，每个单独的特征的宽度(w)或直径必定会减小，而该特征的深度却保持不变。因此，每个单独的特征的纵横比随着器件特征的缩小而增大。近来，在超高纵横比(UHAR)刻蚀扭曲过程中，新的困难出现了，其一般被定义为特征底部附近与该特征顶部由掩模所定义的图案在位置、方向、形状和尺寸上的偏差。当该特征的宽度非常小时，当特征的纵横比达到了特定的阈值，就会出现扭曲，特别是在该特征的底部附近。图IA显示了具有四个刻蚀特征的晶片的侧视图，其中扭曲发生在每个特征的底部附近。在图IA中，沉积在晶片110表面的掩模100掩蔽了四个特征120...
【技术保护点】
１．一种在基板上的电介质层中刻蚀特征的方法，包含：将具有该电介质层的该基板放置到刻蚀反应室内的下电极上；将刻蚀气体传送入该刻蚀反应室；将具有第一频率的第一ＲＦ功率传送入该刻蚀反应室，其中该第一频率在１００ｋＨｚ到６００ｋＨｚ之间；将具有第二频率的第二ＲＦ功率传送入该刻蚀反应室，其中该第二频率至少为１０ＭＨｚ；刻蚀该电介质层以形成至少一个超高纵横比（ＵＨＡＲ）特征。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：池兵，埃里克·A·埃德尔伯格，柳川拓海，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US
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