The invention discloses a light emitting element with a thinned structure and a method for manufacturing the same. The light emitting element comprises a semiconductor light emitting structure, a carrier and a thin structure formed between the semiconductor light-emitting structure and the carrier. The manufacturing method comprises the following steps: forming a multilayer semiconductor structure on a substrate; bonding the multilayer semiconductor structure to support; thinning the substrate to form a thin structure; bonding to the carrier or the formation of thinning and removing the support structure.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
半导体发光元件，例如发光二极管(LED)，在近年来亮度不断的提升下，应用领域 已从传统的指示灯或装饰用途拓展至各类装置的光源，甚至在不久的将来，极有可能取代 传统的日光灯，成为新一代照明领域的光源。目前发光二极管之内部量子效率约为50%至80%左右；约有20%至50%的输入 功率无法被转换光，而以热的方式产生在发光二极管内。若无法有效的将发光二极管内部 的热导出，会导致发光二极管温度上升，而劣化了发光二极管的可靠度。另一方面，发光二 极管产生的光线若无法有效被取出，部分光线因全反射因素而局限在发光二极管内部来回 反射或折射，最终被电极或发光层吸收，使亮度无法提升。本专利技术提供创新的解决方案，通 过降低发光二极管的热阻或提高光取出效率，以解决发光二极管的热累积问题，并提升元 件的可靠度及发光效率。本专利技术同时提供可应用于高功率输出的发光元件，以应用于照明 领域。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光元件，包括薄化结构；半导体发光结构位于薄化结构的一侧， 包含第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层；载体位于薄化结构的另一侧；...
【技术保护点】
１．一种半导体发光元件，包含：一载体；一半导体发光结构，形成于该载体上；一导电通道，延伸至该半导体发光结构的一深度；一第一导线垫，透过该导电通道与该半导体发光结构电性连接；以及一第二导线垫，电性连接该半导体发光结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，吕志强，王健源，陈彦文，叶瑞鸿，洪世钦，涂育维，吴俊毅，彭韦智，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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