发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光器件及其制造方法。根据一个实施方案的发光器件，包括：至少一个突起部的第二电极层；在所述第二电极层的突起部上的至少一个电流阻挡层；在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分与所述电流阻挡层在垂直方向上相对应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施方案涉及。
技术介绍
近来，使用发光二级管(LED)的装置作为发光器件已得到广泛研究。 LED是一种利用半导体的特性将电信号转变成光的装置，其中堆叠第一导电型半导体、有源层和第二导电型半导体，随后对该堆叠结构供电以从有源层发射出光。第一导电型半导体可以为n型半导体，第二导电型半导体可以为p型半导体。或者，第一导电型半导体可以为P型半导体，第二导电型半导体可以为n型半导体。 同时，在其中对第一导电型半导体供电的第一电极层和对第二导电型半导体供电的第二电极层在垂直方向上重叠的垂直型LED结构中，会出现电流集中在第一电极层的底侧或下侧的现象。 当出现这种现象时，发光器件的工作电压升高，发光器件的寿命縮短，并且发光器件的可靠性变差。 此外，当主要从第一电极层下侧上的有源层产生光时，所产生的光没有完全输出到发光器件的外部，而是在第一电极层上被反射而被发光器件吸收，由此使发光器件的光效率变差。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供一种具有新结构的。 本专利技术实施方案提供一种可消除或减小电流集中现象的。 本专利技术实施方案提供一种可以在稳定的工作电压下驱动并且稳定运行而光强度不劣化的。 本专利技术实施方案还提供一种解决了与现有技术有关的限制和缺点的。 在一个实施方案中，一种半导体发光器件包括包括突起部的第二电极层；在所述第二电极层的所述突起部上的电流阻挡层；在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分与所述电流阻挡层在垂直方向上重叠。 在一个实施方案中，一种发光器件包括第二电极层；在所述第二电极层的中央部分和周边部分上的电流阻挡层；在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分与所述电流阻挡层在垂直方向上重叠。在一个实施方案中，一种发光器件包括第二电极层；在所述第二电极层上的电流阻挡层；在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分与所述电流阻挡层在垂直方向上重叠。 在一个实施方案中，本专利技术提供一种发光器件，其包括包括至少一个突起部的第二电极层；在所述第二电极层的所述突起部上的至少一个电流阻挡层；在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分与所述电流阻挡层在垂直方向上相对应。 在一个实施方案中，本专利技术提供一种发光器件，其包括第二电极层；在所述第二电极层的中央部分和至少一个周边部分上的电流阻挡层；在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上并且与至少一个所述阻挡层相对应的第一电极层。 在一个实施方案中，本专利技术提供一种发光器件，其包括第二电极层；在所述第二电极层上的第一电流阻挡层；在所述第二电极层和所述第一电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上并且在所述第一电流阻挡层的垂直上方的第一电极层。附图说明 图1 5是示出和解释根据本专利技术第一实施方案的的图。 图6A是示出和解释根据本专利技术第二实施方案的发光器件的图，图6B是示出图6A的发光器件的变化方案的图。 图7是示出和解释根据本专利技术第三实施方案的发光器件的图。 图8A是示出和解释根据本专利技术第四实施方案的发光器件的图，图8B是沿图8A中的虚线8B-8B截取的图8A的发光器件的顶视图。 图9是示出和解释根据本专利技术实施方案的发光器件的光提取特性的图。 图10和ll是示出根据本专利技术一个实施方案通过在第二导电型半导体层上形成用于形成欧姆接触的金属和形成用于形成肖特基接触的金属来解释欧姆接触特性和肖特基接触特性的实验结构及其实验结果的图。具体实施例方式在本专利技术实施方案的描述中，当层(例如膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(例如膜)、区域、图案或结构"上"、"上方"或"下方"时，可以理解为，该层、区域、图案或结构与所述另一层、区域、图案或结构直接接触或在其间额外形成有其它的一个或更多个层(例如膜)、区域、图案或结构。 在附图中，为了方便和解释清楚起见，各层的厚度或尺寸可以放大、省略或示意性示出。此外，各构成部分的尺寸不必或可以不必反映其实际尺寸。5 在下文中，将参照附图详细描述根据本专利技术实施方案的发光器件和根据本专利技术实 施方案的制造方法。图1 5是解释根据第一实施方案的的图。 首先，参照图5，根据第一实施方案的发光器件包括第二电极层90、在第二电极层90上选择性形成的一个或更多个电流阻挡层70、在第二电极层90上和电流阻挡层70上的第二导电型半导体50、有源层40和在有源层40上形成的第一导电型半导体30、以及在第一导电型半导体30上形成的第一电极层100。发光器件的所有组成部件都是经连接和配置进行工作的。 电流阻挡层70形成在第二电极层90和第二导电型半导体50之间，由此改变电流 在所述发光器件中流动的路径。 各电流阻挡层70包括与第二导电型半导体50形成肖特基接触的金属。例如，各 电流阻挡层70可由钛(Ti)、锆(Zr)、铬(Cr)、金(Au)或钨(W)或包括钛(Ti)、锆(Zr)、铬 (Cr)、金(Au)或鸨(W)中至少一种的合金中的至少其一形成。 至少一个电流阻挡层70可设置为在垂直方向上与第一电极层100重叠。例如，第 一电极层100可形成在第一导电型半导体30的中央部分上，而电流阻挡层70可形成在第 一电极层100下方以与第一电极层100的位置对应，例如在第二电极层90的中央部分上。 例如，电流阻挡层70可与第一电极层100完全或基本对准。 除了形成为与第一导电型半导体30相对应的电流阻挡层70之外或替代形成为与 第一导电型半导体30相对应的电流阻挡层70，一个或更多个电流阻挡层70也可以形成在 第二电极层90的周边部分上。例如，电流阻挡层70可以在第二电极层90上以规则的间隔 或不规则的间隔或根据需要来形成。 同时，在未形成电流阻挡层70的区域中，第二电极层90与第二导电型半导体50 形成欧姆接触。 因此，如图5中的虚线所示，从第二电极层90向第一电极层IOO流动的电流几乎 不流过其中形成有电流阻挡层70的区域，而是从第二电极层90向其中未形成电流阻挡层 70的区域中的第一电极层100流动。这样，电流的流动不集中在狭窄的路径上，而是分散在 较宽的路径上，从而降低或消除电流集中现象。 第二电极层90可以包括导电衬底、在导电衬底上形成的反射层和在反射层上形 成的欧姆接触层。此外，第二电极层90可以由与第二导电型半导体50形成欧姆接触的材 料形成。 例如，第二电极层90中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其包括：包括至少一个突起部的第二电极层；在所述第二电极层的所述突起部上的至少一个电流阻挡层；在所述第二电极层和所述电流阻挡层上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分与所述电流阻挡层在垂直方向上相对应。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄盛珉，朴京根，曹贤敬，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]