The invention discloses a photoelectric semiconductor element and its manufacturing method, the photoelectric semiconductor device includes: a substrate; the substrate layer is formed on the first window, with a first sheet resistance value, the first thickness and the first impurity concentration; second window layer has second sheet resistance, second thickness and two impurity concentration; between the second layer of the first window window the semiconductor layer and the system formed in the system of second; wherein the semiconductor window layer and the semiconductor material is different; second the resistance value is lower than that of the first piece of electric resistance.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，节能减碳的议题日益受到重视，发光二极管在背光及照明的应用领域更 显重要，各种增加发光二极管光摘出效率的方法一一被提出。欲增进光摘出效率可以通过 几个方式，其包括改善外延生长的品质，通过增加电子和空穴结合的机率，提升内部量子效 率(IQE)。另一方面，发光二极管产生的光线若无法有效被取出，部分光线因全反射因素而 局限在发光二极管内部来回反射或折射，最终被电极或发光层吸收，使亮度无法提升，因此 使用表面粗化或改变结构的几何形状等，提升外部量子效率(EQE)。通过提升光摘出效率 (LEE)，使发光二极管的亮度增高。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种光电半导体元件，其具有促进光摘出效率的结 构。本专利技术一实施例的一种发光元件包括基板，第一窗口层，形成于所述的基板，具 有第一片电阻值、第一厚度及第一杂质浓度；第二窗口层，具有第二片电阻值、第二厚度及 第二杂质浓度；半导体系统，形成于所述的第一窗口层及所述的第二窗口层之间；其中所 述的第二窗口层和所述的半导体系统为不同的半导体材料；所述的第二片电阻值低于所述 的第一片电阻...
【技术保护点】
１．一种光电半导体元件，包括：基板；第一窗口层，形成于该基板，具有第一片电阻值、第一厚度及第一杂质浓度；第二窗口层，具有第二片电阻值、第二厚度及第二杂质浓度；半导体系统，形成于该第一窗口层及该第二窗口层之间；其中该第二窗口层和该半导体系统包括不同的半导体材料；该第二片电阻值低于该第一片电阻值；该第二厚度大于该第一厚度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈世益，许嘉良，徐子杰，吴俊毅，黄建富，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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