半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶圆上形成暴露出NMOS管的光阻胶PR；进行离子注入，形成NMOS管的漏极和源极；在晶圆表面形成反相图形材料，且NMOS管之上的反相图形材料和PMOS管之上的反相图形材料的上表面高度相同；对PMOS管的PR之上的反相图形材料和NMOS管之上的反相图形材料进行去除，且NMOS管之上保留的反相图形材料和PMOS管之上的PR的上表面高度相同；去除PR，进行离子注入，形成PMOS管的漏极和源极。采用该方法能够简化半导体器件制作的工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，特别涉及一种。
技术介绍
半导体器件制作是指在衬底上执行一系列复杂的化学或物理操作，以形成半导体 器件的过程。图1 图10为现有技术中的过程剖面示意图，该方法 主要包括步骤101，参见图1，提供一衬底，在衬底上形成N阱、P阱以及浅沟槽隔离区 (STI)。采用双阱工艺来定义N型金属氧化物半导体(NMOQ管和P型金属氧化物半导体 (PMOS)管的有源区，从而得到N阱和P阱。然后，通过光刻以及蚀刻等工艺，在半导体衬底上形成STI。步骤102，参见图2，在衬底表面生长栅氧化层和淀积多晶硅，并利用光刻、蚀刻和 离子注入等工艺在P阱上方形成NMOS管的栅极结构，在N阱上方形成PMOS管的栅极结构。本步骤中，首先进行栅氧化层的生长；然后，通过化学气相淀积工艺，在晶圆表面 淀积一层多晶硅，厚度约为500 2000埃；之后，通过光刻、蚀刻和离子注入等工艺，制作出 NMOS管和PMOS管的栅极结构。本专利技术所述栅极结构包括由多晶硅构成的栅极和位于栅极下方的栅氧化层。至此，完成了栅极结构的制作。步骤103，参见图3，在衬底表面依次淀积二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，在晶圆上形成用于隔离ＰＭＯＳ管和ＮＭＯＳ管的浅沟槽隔离区ＳＴＩ、Ｎ型金属氧化物半导体ＮＭＯＳ管、Ｐ型金属氧化物半导体ＰＭＯＳ管的栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁层后，其特征在于，该方法还包括：在晶圆上形成暴露出ＮＭＯＳ管的光阻胶ＰＲ；进行离子注入，形成ＮＭＯＳ管的漏极和源极；在晶圆表面形成反相图形材料，且ＮＭＯＳ管之上的反相图形材料和ＰＭＯＳ管之上的反相图形材料的上表面高度相同；对ＰＭＯＳ管的ＰＲ之上的反相图形材料和ＮＭＯＳ管之上的反相图形材料进行去除，且ＮＭＯＳ管之上保留的反相图形材料和ＰＭＯＳ管之上的ＰＲ的上表面高度相同；去除所述ＰＲ；进行离子注入，形成ＰＭＯＳ管...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁先捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31