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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶圆上形成暴露出NMOS管的光阻胶PR；进行离子注入，形成NMOS管的漏极和源极；在晶圆表面形成反相图形材料，且NMOS管之上的反相图形材料和PMOS管之上的反相图形材料的上表面高度相同；...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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