【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及。
技术介绍
非易失性存储器在供电电源关闭后仍能保持片内信息；在系统电可擦除和可重复 编程，而不需要特殊的高电压；非易失性存储器具有成本低、密度大的特点。其独特的性能 使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络 互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相 机、数字录音机和个人数字助理。目前的非易失性存储器中，位线和字线通常呈正交构造，该构造有助于存储单元 面积的降低。在中国专利申请200910002581. 1中就提及了一种具有正交位线和字线结构 的非易失性存储器。参照图1所示，所述非易失性存储器中，在衬底11表面形成有沿第一 方向延伸的位线14以及沿第二方向延伸的字线16，所述第一方向和第二方向正交，所述字 线14和位线16间形成有绝缘层15。在各位线14之间形成有绝缘层12，所述绝缘层12具 有ONO叠层结构，其依次包括氧化层12A、氧化层12A上的氮化层12B以及氮化层12B上的 氧化层12C。所述绝缘层12位于字线16下的部分还作为栅极...
【技术保护点】
一种位线的制造方法，其特征在于，包括：在已形成有ＯＮＯ叠层结构的衬底上形成第一导电层；在第一导电层上形成第一遮挡层；蚀刻所述第一遮挡层及第一导电层，暴露出待形成位线的区域；进行第一离子注入形成轻掺杂位线；继续在所述衬底上形成第二遮挡层；蚀刻所述第二遮挡层，暴露出轻掺杂位线；进行第二离子注入形成重掺杂位线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金泰圭，金钟雨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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