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一种位线及非易失性存储器的制造方法。所述位线的制造方法包括：在已形成有ONO叠层结构的衬底上形成第一导电层；在第一导电层上形成第一遮挡层；蚀刻所述第一遮挡层及第一导电层，暴露出待形成位线的区域；进行第一离子注入形成轻掺杂位线；继续在所述衬底...
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