一种铝导线的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种铝导线的形成方法，属于集成电路制造技术领域。所述方法包括：步骤(1)：在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤(2)：不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。本发明专利技术能够得到良好的铝导线形状，并且反应室无颗粒问题，避免了产品发生铝导线桥接的缺陷，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造技术，尤其涉及。
技术介绍
在集成电路(Integrated Circuit, IC)制造工艺中，后段金属化制程需要在晶片上制作形成金属导线。制程发展演进到0. 13 μ m以下，后段金属化制程一般采用铜(Cu)工艺，但对于运行速度要求不高的IC，仍然可以采用铝(Al)工艺。目前，Al工艺大部分采用硬膜(Hard Mask)介电层作为后续Al蚀刻的阻挡层，并且在Al蚀刻过程中，还需要使用侧壁保护能力强的特殊气体(如CHF3)才能获得良好的Al 导线形状。在上述Al蚀刻过程中，反应室易产生颗粒，导致产品发生Al导线桥接的缺陷(如图1中的箭头所示)，影响了产品良率。
技术实现思路
本专利技术提供，它能够避免反应室产生颗粒，提高产品良率。为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案，包括步骤(1)在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤(2)不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。作为对上述技术方案的优化，所述铝导线的线宽小于或等于0. 13 μ m。本专利技术提供的铝导线的形成方法中，采用光阻和硬膜介电层作为后续铝蚀刻的阻挡层，蚀刻工艺不使用特殊保护性气体，同样可以得到良好的铝导线形状。并且本专利技术中， 反应室无颗粒问题，避免了产品发生铝导线桥接的缺陷，提高了产品良率。附图说明图1为现有技术中产品上导线桥接情况的照片示意图；图2为本专利技术蚀刻前产品的结构示意图；图3为本专利技术蚀刻中产品的结构示意图；图4为本专利技术最终得到的产品的结构示意图。具体实施例方式为解决现有技术采用Al工艺的金属化制程中，Al蚀刻时反应室易产生颗粒，导致产品发生Al导线桥接的缺陷，影响了产品良率的问题，本专利技术提供。下面结合附图对本专利技术作详细说明。如图2 图4所示，本专利技术的铝导线的形成方法，包括步骤(1)在Al金属导线层2的上方，设置光阻4和硬膜介电层3作为阻挡层；本步骤中，如图2所示，Al金属导线层2位于衬底1的上方。设置阻挡层时，可以将硬膜介电层3设置在Al金属导线层2的上方，光阻4依次设置在硬膜介电层3的上方。步骤⑵不使用特殊保护性气体，直接对Al金属导线层2进行蚀刻，形成铝导线。本步骤中的蚀刻采用本领域常用的无需保护性气体的蚀刻方式即可，具体蚀刻方式此处不再赘述。本专利技术的铝导线的形成 方法中，采用光阻4和硬膜介电层3作为后续Al蚀刻的阻挡层，蚀刻工艺不使用特殊保护性气体，同样可以得到良好的Al导线形状。并且本专利技术中， 反应室无颗粒问题，避免了产品发生Al导线桥接的缺陷，提高了产品良率。本专利技术的方法特别适用小线宽的情况，即形成的Al导线的线宽小于或等于 0. 13 μ m的情况。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并非用来限定本专利技术的实施范围；如果不脱离本专利技术的精神和范围，对本专利技术进行修改或者等同替换，均应涵盖在本专利技术权利要求的保护范围当中。权利要求1.，其特征在于，包括步骤(1)在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤(2)不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。2.根据权利要求1所述的铝导线的形成方法，其特征在于，所述铝导线的线宽小于或等于 0. 13 μ mo全文摘要本专利技术公开了，属于集成电路制造
所述方法包括步骤(1)在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤(2)不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。本专利技术能够得到良好的铝导线形状，并且反应室无颗粒问题，避免了产品发生铝导线桥接的缺陷，提高了产品良率。文档编号H01L21/768GK102270602SQ201010194499公开日2011年12月7日 申请日期2010年6月4日 优先权日2010年6月4日专利技术者陈伏宏, 韩冬 申请人:和舰科技(苏州)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种铝导线的形成方法，其特征在于，包括：步骤（１）：在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤（２）：不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伏宏，韩冬，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32