P型掺杂超浅结及PMOS晶体管的制作方法技术

一种超浅结的制作方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，所述注入离子的总的扩散速度低于硼离子；对所述半导体衬底进行尖峰退火处理。采用总的扩散速度低于硼离子的离子作为超浅结的掺杂离子，在后续尖峰退火处理时，可以减小掺杂离子向半导体衬底的扩散效应，从而稳定了超浅结的结深，避免了尖峰退火峰值温度不稳定对结深的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，更具体的，本专利技术涉及P型掺杂超浅结及PMOS晶体 管的制作方法。
技术介绍
离子注入技术是一种广泛应用于各种半导体器件及集成电路制作的杂质掺杂技 术。通过控制注入离子束的电流量及电压，可以精确调整杂质在半导体衬底中的含量及分 布情况。离子注入后，对半导体衬底继续进行退火处理以激活注入离子，并修复离子注入时 引起的半导体衬底晶格损伤。半导体工业中众所周知的趋势是器件的特征尺寸随着工艺技术的革新而越来越 小。按照等比例缩小的要求，器件的横向尺寸(即特征尺寸表征的线宽)不断缩小的同时， 器件的纵向尺寸(即器件的深度)也要求等比例缩小。因此，离子注入技术的一个重要发 展方向就是如何形成浅结及超浅结，进而形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的轻掺杂源 区与轻掺杂漏区。申请号为200610147797. 3的中国专利申请提供了一种形成超浅结的方法。所述 方法通过尖峰退火工艺，在一次热处理过程中同时完成注入离子的激活及晶格损伤的修 复；同时，在尖峰退火过程中通入氧气，减少了掺杂离子的扩散，实现了超浅结的制作。但 是，应用所述方法形成超浅结时，尖峰退火工艺的退火时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｐ型掺杂超浅结的制作方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，所述注入离子的总的扩散速度低于硼离子；对所述半导体衬底进行尖峰退火处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施雪捷，潘梓诚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31