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一种超浅结的制作方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，所述注入离子的总的扩散速度低于硼离子；对所述半导体衬底进行尖峰退火处理。采用总的扩散速度低于硼离子的离子作为超浅结的掺杂离子，在后续尖峰退火处理时，可以减小掺杂离子向...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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