【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示例性实施例涉及一种非易失性存储器件。
技术介绍
作为半导体存储器的一类，非易失性存储器利用了对数据进行擦除和编程的操作功能。特别是，电可擦除可编程非易失性存储器，例如EEPR0M、快闪存储器等，分别利用福勒一诺德海姆Fowler-Nordheim，F-N)隧道效应和热电子注入而实现了擦除操作和编程操作。非易失性存储器件通常被设计为在与列线耦接的存储单元中存在缺陷时进行修复处理。为了对存储单元中的缺陷进行修复，要寻找分配给缺陷存储单元的列地址(下文称作缺陷列地址)，并将其储存到内容可寻址存储器(content addressable memory, CAM) 单元中。这些CAM单元通常是由存储单元的一部分或附加的储存区段构成的。在非易失性存储器件的初始化操作时，从CAM单元加载并锁存缺陷列地址的信息，然后将其与针对随后的编程操作或读取操作而输入的地址进行比较。如果确定存在缺陷列地址的输入，则选择冗余列来替换与缺陷列地址相对应的列。针对此功能，非易失性存储器件被设计为包括用于保持缺陷列地址的锁存电路和将输入地址与锁存电路所保持的缺陷列地址进行比较来提...
【技术保护点】
１．一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括主存储单元和冗余存储单元；内容可寻址存储单元，所述内容可寻址存储单元被配置为储存与所述主单元之中的缺陷存储单元相对应的缺陷列地址；以及修复控制器，所述修复控制器被配置为当发生所述缺陷列地址时将所述缺陷列地址与输入地址进行比较以产生匹配控制信号并产生冗余检查使能信号，并且被配置为响应于所述匹配控制信号和所述冗余检查使能信号来产生修复控制信号。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵浩烨，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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