非挥发性记忆体及其操作方法技术

本发明专利技术是有关于一种非挥发性记忆体及其操作方法。降低非挥发性记忆体中第二位元效应的操作方法，适用于具有第一储存位置与第二储存位置的N阶记忆胞(其中N为大于2的正整数)。该方法包括下列步骤：根据第二储存位置的位准，决定操作第一储存位置的操作位准组。当第二储存位置的位准为较低位准时，根据第一操作位准组操作第一储存位置。当第二储存位置的位准为较高位准时，根据第二操作位准组操作第一储存位置。第二操作位准组中各操作位准大于第一操作位准组中相对应的各操作位准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种降低非挥发性记忆体中第二位元效应的操作方法。
技术介绍
非挥发性记忆体(non-volatile memory)由于具有可进行多次资料的存入、读取、 擦除等动作，且存入的资料在断电后也不会消失的优点，因此许多电器产品中必须具备此类记忆体，以维持电器产品开机时的正常操作，而成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种记忆体元件。氮化硅只读记忆体(Nitride read only memory，NBit)为一种使用电荷捕捉 (charge trapping)作为资料储存型态的非挥发性记忆体。一个NBit记忆胞的结构有如一个金属氧化物半导体场效电晶体(metal-oxide-silicon field effect transistor, M0SFET)，但是其中的栅氧化硅层由0N0(oxide-nitride-oxide，氧化物-氮化物-氧化物)层所取代。其中，氮化硅材质具有记忆胞被程序化时，捕捉电荷(电子)的特性。对 NBit记忆胞的电荷陷入层进行程序化(换言之，注入电荷)能藉由各种热载子注入法 (例如沟道热电子注入(channel hot electr本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的Ｎ阶记忆胞，其中Ｎ为大于２的正整数，其特征在于该操作方法包括：根据该第二储存位置的一位准，决定操作该第一储存位置的一操作位准组；当该第二储存位置的该位准为较低位准时，根据一第一操作位准组操作该第一储存位置；以及当该第二储存位置的该位准为较高位准时，根据一第二操作位准组操作该第一储存位置。

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的 N阶记忆胞，其中N为大于2的正整数，其特征在于该操作方法包括根据该第二储存位置的一位准，决定操作该第一储存位置的一操作位准组；当该第二储存位置的该位准为较低位准时，根据一第一操作位准组操作该第一储存位置；以及当该第二储存位置的该位准为较高位准时，根据一第二操作位准组操作该第一储存位置。2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的较低位准是小于或等于N/2的整数，较高位准是大于N/2的整数。3.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的第二操作位准组与该第一操作位准组分别包括由小至大的第1操作位准至第N-I操作位准，该第二操作位准组中的第i操作位准大于该第一操作位准组中的第i操作位准，其中i = 1、…、N-1。4.根据权利要求3所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的操作方法为程序化方法，该第一操作位准组与该第二操作位准组为程序化确认位准组。5.根据权利要求3所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的操作方法为读取方法，该第一操作位准组与该第二操作位准组为读取位准组。6.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的第二操作位准组与该第一操作位准组分别包括由小至大的第1操作位准至第N-I操作位准，该第二操作位准组中的第i操作位准等于该第一操作位准组中的第i+Ι操作位准，其中i = 1、…、N-1。7.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的操作方法为程序化方法，该第一操作位准组与该第二操作位准组为程序化确认位准组。8.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的操作方法为读取方法，该第一操作位准组与该第二操作位准组为读取位准组。9.一种非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的 N阶记忆胞，其中N为大于2的正整数，其特征在于该操作方法包括在进行程序化操作时，根据该第二储存位置的一位准，决定用于确认该第一储存位置的状态的一程序化确认位准组；当该第二储存位置的该位准为较低位准时，根据一第一程序化确认位准组确认经程序化的该第一储存位置的状态；以及当该第二储存位置的该位准为较高位准时，根据一第二程序化确认位准组确认经程序化的该第一储存位置的状态。10.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其更包括在进行读取操作时，根据该第一程序化确认位准组与该第二程序化确认位准组，决定读取该第一储存位置的一读取位准组；当该第一储存位置是以该第一程序化确认位准组而被确认其程序化状态时，根据对应该第一程序化确认位准组的一第一读取位准组读取该第一储存位置；以及当该第一储存位置是以该第二程序化确认位准组而被确认其程序化状态时，根据对应该第二程序化确认位准组的一第二读取位准组读取该第一储存位置。11.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的较低位准是小于或等于N/2的整数，较高位准是大于N/2的整数。12.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的第二程序化确认位准组与该第一程序化确认位准组分别包括由小至大的第1程序化确认位准至第N-I程序化确认位准，该第二程序化确认位准组中的第i程序化确认位准大于该第一程序化确认位准组中的第i程序化确认位准，其中i = 1.....N-I013.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的第二程序化确认位准组与该第一程序化确认位准组分别包括由小至大的第1程序化确认位准至第N-I程序化确认位准，该第二程序化确认位准组中的第i程序化确认位准等于该第一程序化确认位准组中的第i+Ι程序化确认位准，其中i = 1.....N-I014.根据权利要求10所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的第二读取位准组与该第一读取位准组分别包括由小至大的第1读取位准至第N-I读取位准， 该第二读取位准组中的第i读取位准大于该第一读取位准组中第i读取位准，其中i = 1、…、N-1。15.根据权利要求10所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的第二读取位准组与该第一读取位准组分别包括由小至大的第1读取位准至第N-I读取位准， 该第二读取位准组中的第i读取位准等于该第一读取位准组中第i+Ι读取位准，其中i = 1、…、N-1。16.一种非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的记忆胞，其特征在于该操作方法包括在进行程序化操作时，根据一第一程序化确认位准确认经程序化的该记忆胞的状态;以及当该第一储存位置与该第二储存位置都要程序化至高位准时，则根据一第二程序化确认位准确认经程序化的该记忆胞的状态，第二程序化确认位准大于第一程序化确认位准。17.根据权利要求16所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其更包括 在进行读取操作时，以对应该第一程序化确认位准的一第一读取位准，对该第一储存位置进行一第一逆向读取；以对应该第二程序化确认位准的一第二读取位准，对该第一储存位置进行一第二逆向读取，该第二读取位准大于该第一读取位准；以该第一读取位准、该第二读取位准或一第三读取位准其中之一对该第二储存位置进行一第三逆向读取，该第三读取位准介于该第一读取位准与该第二读取位准之间；以及根据该第一逆向读取、该第二逆向读取与该第三逆向读取的读取结果，判断储存于该记忆胞的资讯。18.根据权利要求17所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的根据该第一逆向读取、该第二逆向读取与该第三逆向读取的读取结果，判断储存于该记忆胞的资讯的步骤包括当该第一逆向读取与该第二逆向读取的读取结果相同时，以该读取结果作为一最终结19.根据权利要求17所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的根据该第一逆向...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀文，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71