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本发明公开一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括主存储单元和冗余存储单元；内容可寻址存储单元，所述内容可寻址存储单元被配置为储存与主单元之中的缺陷存储单元相对应的缺陷列地址；以及修复控制器，所述修复控制器被配置为当产...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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