半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片组件、封胶、金属焊线、导电部、介电层及图案化导电层。芯片组件包括相对配置的第一接垫及第二接垫。封胶包覆芯片组件及金属焊线并具有封胶表面。封胶表面露出金属焊线的一部分并露出第一接垫。导电部形成于封胶且导电部的至少一部分从第一封胶表面露出。介电层形成于第一封胶表面并具有露出导电部的导电部开孔。图案化导电层形成于介电层上且图案化导电层的一部分形成于导电部开孔内以电性连接导电部。其中，金属焊线电性连接导电部与第二接垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种利用打线技术形成金属焊线(solder wire)球的。
技术介绍
请参照图1 (已知技术)，其绘示传统堆栈式半导体结构的剖视图。传统的堆栈式 (stacked)半导体结构10由第一半导体封装件14及第二半导体封装件20堆栈而成。第一半导体封装件14与第二半导体封装件20之间以锡球22电性连接。第二半导体封装件20具有导通孔16，第二半导体封装件20透过导通孔16电性连接于第一半导体封装件14与第二半导体封装件20的锡球18。然而，由于导通孔16贯穿第二半导体封装件20的封胶12，因此降低第二半导体封装件20的结构强度。并且，由于导通孔16降低第二半导体封装件20的结构强度，使导通孔16与封胶12的外侧面M之间的厚度需较厚才能确保第二半导体封装件20的结构强度，如此导致第二半导体封装件20的尺寸无法缩小。
技术实现思路
本专利技术有关于一种，半导体封装件具有一金属焊线， 该金属焊线用以电性连接于一半导体组件以形成一堆栈式半导体封装结构，半导体封装件的金属焊线的形成并不会降低半导体封装件的结构强度，因此可确保半导体封装件的结构强度。根据本专利技术的一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一芯片组件、一金属焊线、一封胶、一导电部、一第一介电层及一图案化导电层。芯片组件包括一第一芯片及一第二芯片。第一芯片具有一第一主动表面并包括一第一接垫，第一接垫形成于第一主动表面。第二芯片堆栈于第一芯片上且具有一第二主动表面并包括一第二接垫，第二接垫形成于第二主动表面。封胶包覆芯片组件及金属焊线，封胶并具有一第一封胶表面，第一封胶表面露出金属焊线的一部分及第一接垫。导电部形成于封胶且导电部的至少一部分从第一封胶表面露出。第一介电层形成于第一封胶表面并具有一第一导电部开孔，第一导电部开孔露出导电部。图案化导电层形成于第一介电层上且图案化导电层的一部分形成于第一导电部开孔内以电性连接于导电部。其中，金属焊线电性连接导电部与第二接垫。根据本专利技术的另一方面，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供具有一黏贴层的一载板；形成数个导电部于黏贴层；设置数个芯片组件于黏贴层上，每个芯片组件包括一第一芯片及一第二芯片。第一芯片具有一第一主动表面并包括一第一接垫，第一接垫形成于第一主动表面。第二芯片堆栈于第一芯片上且具有一第二主动表面并包括一第二接垫，第二接垫形成于第二主动表面且该些第一芯片的该些第一接垫面向黏贴层；以数条金属焊线电性连接该些导电部与该些第二接垫；以一封胶包覆该些芯片组件、该些金属焊线及每个导电部的至少一部分。封胶具有一第一封胶表面，该些导电部的位置与第一封胶表面重迭；移除封胶的部分材料以露出每条金属焊线的一部分；移除载板及黏贴层，使该些第一芯片的该些第一接垫及该些导电部从该第一封胶表面露出；形成一第一介电层于第一封胶表面，第一介电层具有露出该些导电部的数个第一导电部开孔; 形成一图案化导电层于第一介电层上，图案化导电层的一部分形成于该些第一导电部开孔内以电性连接该些导电部；以及切割封胶，以分离该些芯片组件。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图1 (已知技术)绘示传统堆栈式半导体结构的剖视图。图2绘示依照本专利技术第一实施例的半导体封装件的剖视图。图3绘示依照本专利技术第一实施例的半导体封装件的制造流程图。图4A至41绘示图2的半导体封装件的制造示意图。图5绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。图6绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图7A至7B绘示图6的半导体封装件的制造示意图。主要组件符号说明10、100、200、300 半导体封装件12、106、306 封胶14:第一半导体封装件16 导通孔18、22:锡球20 第二半导体封装件24 外侧面102 芯片组件104 金属焊线108、308:导电部110、310 第一介电层112:图案化导电层114:半导体组件116:第二介电层118:第一芯片120 第二芯片122 黏胶124 第一主动表面126 第一芯片表面128 第一接垫130 第二芯片表面132 第二主动表面134 第二接垫136 金属焊线的一部分138:第一锡球140 第一封胶表面142、242 第二封胶表面144、374 表面146、346 黏贴层148、348 载板150:凹部152:第一导电部开孔154 芯片保护层156:导电部锡球158 接垫锡球160 第一接垫开孔162 第二接垫开孔164:第二导电部开孔166、168、170 侧面174:图案化导电层的一部分176 图案化导电层的另一部分178 芯片侧面180 焊线保护层372:凹槽376:导电部的一部分378:导电部的另一部分P 切割路径S102-S130 步骤具体实施例方式以下提出较佳实施例作为本专利技术的说明，然而实施例所提出的内容，仅为举例说明之用，而绘制的图式为配合说明，并非作为限缩本专利技术保护范围之用。再者，实施例的图示亦省略不必要的组件，以利清楚显示本专利技术的技术特点。请参照图2，其绘示依照本专利技术第一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100 —堆栈式半导体封装件，其包括一芯片组件102、一金属焊线104、一封胶106、一导电部108、一第一介电层110、一第二介电层116、一图案化导电层112及一半导体组件114。 此处的半导体组件114例如是芯片或另一半导体封装件。金属焊线104的一部分136露出，半导体组件114具有数个第一锡球138，该些第一锡球138与露出的金属焊线104的该部分136相对地连接，藉以电性连接芯片组件102 与半导体组件114。金属焊线104的一端连接于导电部108，金属焊线104的另一端连接于芯片组件102的第二接垫134。相较于图1中传统的堆栈式半导体封装件，本实施例的半导体组件114的第一锡球138透过金属焊线104电性连接于芯片组件102。金属焊线104并不会破坏半导体封装件100的结构强度，因此金属焊线104与封胶106的外侧面的距离可缩小，可使半导体封装件100的尺寸缩小。此外，半导体组件114与芯片组件102的第二接垫134之间的电性路径距离较短，可提升电性连接的质量。本实施例的芯片组件102 —堆栈式芯片组，可提供更多电路功能及更多输出/输入接点。详细地说，芯片组件102包括第一芯片118、第二芯片120及黏胶122。第一芯片 118具有相对的第一主动表面IM与第一芯片表面126。该些第一接垫1 形成于第一主动表面IM上。第二芯片120具有相对的一第二芯片表面130与一第二主动表面132，该些第二接垫134形成于第二主动表面132上。也就是说，该些第一接垫1 及该些第二接垫 134分别形成于相对的第一主动表面IM及第二主动表面132上。黏胶122连接第一芯片 118的第一芯片表面1 与第二芯片120的第二芯片表面130，以将第一芯片118与第二芯片120固定在一起。芯片组件102的第一芯片118包括芯片保护层154。芯片保护层巧4形成于第一主动表面124并露出该些第一接垫128。如图2所示，芯片组件102更具有芯片侧面178，芯片侧面178连接第一主动表面 IM及第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体封装件，包括：一芯片组件，包括：一第一芯片，具有一第一主动表面并包括一第一接垫，该第一接垫形成于该第一主动表面；及一第二芯片，堆栈于该第一芯片上且具有一第二主动表面并包括一第二接垫，该第二接垫形成于该第二主动表面；一金属焊线；一封胶，包覆该芯片组件及该金属焊线，该封胶具有一第一封胶表面，该封胶露出该金属焊线的一部分且该第一封胶表面露出该第一接垫；一导电部，形成于该封胶且该导电部的至少一部分从该第一封胶表面露出；一第一介电层，形成于该第一封胶表面并露出该导电部；以及一图案化导电层，形成于该第一介电层上且该图案化导电层的一部分电性连接于该导电部；其中，该金属焊线电性连接该导电部与该第二接垫。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翁承谊，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71