【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微光刻技术，尤其涉及利用多相高硅光刻胶膜在半导体基层上制造构型技术。
技术介绍
用于微光刻工艺的光刻胶是受到紫外光照射时发生化学反应的薄膜，化学反应导致这种薄膜在显影液中的溶解速度发生变化。如附图说明图1所示，在紫外光照射下，透过光掩模上的图形1后光的强度曲线15根据光掩模上的图像而不同，如果光刻胶膜透过光掩模上的图像受到曝光，那么曝光部位与不曝光部位的溶解速度就会不同，冲洗后光掩模上的图形便转移到光刻胶膜上。若受到紫外光照射后溶解速度增加，这种光刻胶在微光刻领域中被称为正相光刻胶。如图1所示，正相光刻胶被曝光的部位显影冲洗时被洗掉，没有曝光的部位则保留在基层上，得到正相光刻胶形成的图形12。正相光刻胶广泛用于集成电路(IC)制造业的微光刻领域。目前，最常用的正相光刻胶是基于被称作“去保护”的机理。去保护机理需要一种侧链含酚基或羧基的高分子树脂。这些酚基或羧基在初始膜层中受到保护(或屏蔽)，因此初始膜不溶于碱性显影液。接受紫外光照射后，不稳定的保护基团发生水解，酚基或羧基不再被保护，自由的酚基或羧基使得膜层溶解于显影液。保护基团的水解反应是在由光敏...
【技术保护点】
１．用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶膜成像方法，其特征在于：多相高硅光刻胶膜包括正相高硅光刻胶膜、负相高硅光刻胶膜和正负双相高硅光刻胶膜，正相高硅光刻胶膜、负相高硅光刻胶膜和正负双相高硅光刻胶膜中含有聚硅氧烷和聚硅倍氧半烷树脂、催化剂和光敏酸，且ａ．催化剂：使树脂分子在２５℃至１２０℃发生缩合反应，使树脂分子内和分子间生成化学键并使树脂分子发生交联，且催化剂遇到由光敏酸产生的酸后即失去催化活力；ｂ．光敏酸：在波长为小于４５０纳米光辐射下产生的酸，使催化剂失活，并使催化树脂分子的缩合反应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙逊运，
申请(专利权)人：潍坊星泰克微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。