【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种光刻方法及采用该刻蚀方法制成的半导体器件。
技术介绍
在半导体制造过程中，光刻是一种很重要的工艺。在半导体器件的光刻过程中，经常会出现需要使用厚光致抗蚀剂层的情况。在使用厚光致抗蚀剂层时，由于随着光在光致抗蚀剂层中的深入，光强逐渐减弱。图2示意性地示出了光强与光致抗蚀剂层深度之间的对应关系。从图2可以看出，当光越来越进入光致抗蚀剂层时，光强也随之减弱。这样，图1示意性地示出了根据现有技术采用厚光致抗蚀剂层时的曝光情况。如图1所示，在光致抗蚀剂层R的厚度方向上，当利用掩膜M来对光致抗蚀剂层R进行曝光时， 底部的光致抗蚀剂可能由于光强太弱而未被曝光完全，从而形成如标号A所示的未曝光区域。由于未曝光区域A的存在，使得后续的刻蚀工艺产生了误差或者错误，从而可能会进一步导致所制造的器件的失效。如果采用敏感度高的光致抗蚀剂材料来作为厚光致抗蚀剂层R，则虽然有可能不会再出现未曝光区域A，但是由于所采用的光致抗蚀剂材料太敏感，而无法控制厚光致抗蚀剂层R上的开口的大小，即有可能在厚光致抗蚀剂层R上产生的开口图案的大小大于...
【技术保护点】
１．一种光刻方法，其特征在于包括：第一光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第一光致抗蚀剂层；第二光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第二光致抗蚀剂层；以及曝光步骤，用于利用掩膜对涂覆了第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的结构进行曝光。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：于世瑞，孔蔚然，宗登刚，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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