【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用光致抗蚀剂的，特别涉及一种使用化学放大作用的光致抗蚀剂的。
技术介绍
微电子产业的飞速发展要求半导体器件的特征尺寸越来越小，器件特征尺寸的减小一方面依赖于曝光工具，另一方面也与光致抗蚀剂的选择密切相关。因此，与光刻技术相应的光致抗蚀剂的选择与应用也成为光刻工艺中的一个重要研究内容。光刻技术的进步促进了光致抗蚀剂性能的不断完善。利用化学放大作用的光致抗蚀剂具有高灵敏度、强的耐干法腐蚀性等优点，有利于半导体后续加工工艺的进行，因此在半导体工艺领域具有广阔的应用前景。在光刻领域正逐渐受到人们的关注。可以相信，工艺性能得到更加完善稳定的化学放大光致抗蚀剂将在半导体工业中发挥重要作用。化学放大光致抗蚀剂一般包括三个部分基质树脂、有机溶剂和用于产生化学放大作用的光致产酸剂(photoacid generator, PAG)。化学放大光致抗蚀剂经曝光或光照后，PAG吸收能量发生光分解，生成自由酸，发生酸催化反应，使曝光区域的基质树脂发生保护基团的去除反应或树脂与交联剂之间的交联反应，形成正性或负性潜像，在一定的溶剂中显影形成曝光图案。此外，也有一些化学放大光...
【技术保护点】
一种使用光致抗蚀剂进行光刻的方法，所述光致抗蚀剂包括：基质树脂；用于产生化学放大作用的第一组分，该第一组分能够在第一波段的光的照射下产生第一化学物质，所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像；以及第二组分，该第二组分能够在第二波段的光的照射下产生第二化学物质，所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应，从而降低第一化学物质的质量浓度，所述光刻方法包括以下步骤：提供表面覆盖有所述光致抗蚀剂的衬底；使用第一波段的光对所述光致抗蚀剂表面的选定区域进行选择性照射，从而在光致抗蚀剂中产生第一化学物质，其中该第一化学物质在所述光致抗蚀剂中具有一定质量浓度分布；使用第二波...
【技术特征摘要】
1.一种使用光致抗蚀剂进行光刻的方法，所述光致抗蚀剂包括基质树脂；用于产生化学放大作用的第一组分，该第一组分能够在第一波段的光的照射下产生第一化学物质，所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像；以及第二组分，该第二组分能够在第二波段的光的照射下产生第二化学物质，所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应，从而降低第一化学物质的质量浓度，所述光刻方法包括以下步骤 提供表面覆盖有所述光致抗蚀剂的衬底； 使用第一波段的光对所述光致抗蚀剂表面的选定区域进行选择性照射，从而在光致抗蚀剂中产生第一化学物质，其中该第一化学物质在所述光致抗蚀剂中具有一定质量浓度分布； 使用第二波段的光对所述光致抗蚀剂表面的所有区域进行均匀照射，从而在光致抗蚀剂中产生第二化学物质，其中所述第二化学物质的质量浓度在光致抗蚀剂中是均匀分布的，并且所述第二化学物质的质量浓度大于所述第一化学物质的质量浓度的最小值； 对所述光致抗蚀剂进行显影处理，从而形成所需要的光致抗蚀剂图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一波段的...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍强，徐垚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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