金属线及阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种金属线及阵列基板的制作方法，涉及液晶显示领域，能够减小金属线的线宽。本发明专利技术实施例的金属线的制作方法，包括：形成金属层；在所述金属层上涂覆光刻胶层；使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域；使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光，所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域尤其涉及一种。
技术介绍
随着人们对液晶显示器品质要求的不断提高，高分辨率是液晶显示器发展的一个大趋势。为了将产品从现有的200ppi提升至300ppi以上，数据线的线宽也需要逐渐减小-从4um以上降低到2-3um，这也对生产工艺提出了更高的要求。传统的生产工艺一般采用控制曝光显影之后金属线所对应的光刻胶的尺寸和刻蚀之后的尺寸来取得合适的金属线线宽，但是由于曝光设备的解析度是有限制的，所以曝光显影之后金属线所对应的光刻胶的尺寸无法进一步减小，进而无法得到宽度更小的金属线。
技术实现思路
本专利技术的实施例所要解决的技术问题在于提供一种，能够减小金属线的线宽，从而提高液晶显示器的开口率。本申请的一方面，提供一种金属线的制作方法，包括形成金属层；在所述金属层上涂覆光刻胶层；使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域；使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光，所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值。进一步的，所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值，是沿垂直于所述金属线的方向错位所述预设间距值，以使经过第二次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度比仅经过第一次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度减小所述预设间距值。进一步的，所述金属层为源漏金属层，所述光刻胶保留区域包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域。进一步的，在使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光之后，还包括对进行第二次曝光后的光刻胶层进行显影处理，并对所述源漏金属层进行刻蚀，形成数据线、源极和漏极。进一步的，所述数据线的宽度为1. O 2. 5um。进一步的，所述金属线为公共电极线或者栅线。本申请的另一方面，还提供一种金属线的制作方法，包括形成金属层；在所述金属层上涂覆光刻胶层；使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域；使用第二掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间的图形错位预设间距值。进一步的，所述金属层为源漏金属层，所述第一次曝光的光刻胶保留区域包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域；所述第二次曝光的光刻胶保留区域包括后续形成的数据线、源极和漏极所对应的区域以及源极和漏极向四周延伸预设距离所对应的区域，以使所述源极和漏极所对应的所述光刻胶层在第二次曝光中宽度不减小。进一步的，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间的图形错位预设间距值，是沿垂直于金属线的方向错位所述预设间距值，以使经过第二次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度比仅经过第一次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度减小所述预设间距值。进一步的，在使用所述第二掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光之后，还包括对进行第二次曝光后的光刻胶层进行显影处理，并对所述源漏金属层进行刻蚀，形成数据线、源极和漏极。进一步的，所述数据线的宽度为1. O 2. 5um。进一步的，所述金属线为公共电极线或者栅线。本申请的再一方面还提供一种阵列基板的制作方法，包括上述任一项所述的金属线的制作方法。本专利技术实施例的，通过对金属层上涂覆的光刻胶层进行两次曝光，且第一次曝光与第二次曝光之间错位预设间距值，使得光刻胶层的光刻胶保留区域的宽度能够进一步减小预设间距值，进而使得形成的金属线的宽度进一步减小，提闻了液晶显不器的开口率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中金属线制作方法的流程示意图之一；图2为本专利技术实施例中第一次曝光与第二次曝光之间错位的示意图；图3为本专利技术实施例中金属线制作过程中阵列基板的结构示意图之一；图4为本专利技术实施例中金属线制作过程中阵列基板的结构示意图之二 ；图5为本专利技术实施例中金属线制作过程中阵列基板的结构示意图之三；图6为本专利技术实施例中金属线制作过程中阵列基板的结构示意图之四；图7为本专利技术实施例中金属线制作过程中阵列基板的结构示意图之五；图8图为本专利技术实施例中金属线制作方法的流程示意图之二。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种，能够减小金属线的线宽，从而提闻液晶显不器的开口率。以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透切理解本专利技术。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本专利技术。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本专利技术的描述。实施例一本实施例提供一种金属线的制作方法，如图1所示，该方法包括步骤101、形成金属层；首先需要说明的是，本实施例的金属线的制作方法是阵列基板的制作过程的一部分，关于阵列基板其他部分的制作方法，如公共电极、像素电极、栅线等结构的制作方法，不是本专利技术关注的重点，故在此不做详细介绍。本实施例中的金属线可以是数据线，也可以是公共电极线、栅线等。下面以数据线的制作为例对本专利技术的方法做详细说明。当需要制作数据线时，作为本专利技术的一种实施方式，所需要形成的金属层可以是源漏金属层1，如图3所示，源漏金属层I形成在绝缘层3上，具体的，该绝缘层3可以是栅极绝缘层，另外，当阵列基板的层结构发生改变时，源漏金属层I也可以根据需要形成在其他层结构上，本专利技术在此不作限定。另外，当需要制作的金属线为公共电极线、栅线时，该金属层可以是栅金属层。步骤102、在所述金属层上涂覆光刻胶层；如图3所示，在形成源漏金属层I后，再在该源漏金属层I上涂覆一层光刻胶层2。步骤103、使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，形成光刻胶不保留区域和光刻胶保留区域；如图4所示，使用第一掩膜版对光刻胶层2进行第一次曝光，形成光刻胶不保留区域21和光刻胶保留区域22，其中，光刻胶保留区域22包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域。举例来说，曝光设备的解析度为4um，则光刻胶保留区域22的宽度最小可以是4um，即数据线所对应的区域的宽度为4um。步骤104、使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光，所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值。如图2所示，图中实线所示为第一次曝光中第一掩膜版的图形，在对光刻胶层2进行第一次曝光后，继续使用第一掩膜版对第一次曝光后的光刻胶保留区域22进行第二次曝光，产生第二光刻胶不保留区域23和第二光刻胶保留区域24，如图5所示，第二光刻胶不保留区域23在第一次曝光中未被曝光但在第二次曝光中被曝光；第二光刻胶保留区域24在两次曝光中均未被曝光。图5为图2沿A-A’方向的剖面图，图2中虚线所示为第二次曝光中第一掩膜版的图形，其中，第一次曝光与第二次曝光之间错位预设间距值，举例来说，当预设间距值为lum，则第一次曝光与第二次曝光在光刻胶层上的位置相距lum。为了准确定位第一次曝光和第二次曝光的位置，本实施例可以在第一掩膜版上制作两套对位标记，在两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属线的制作方法，其特征在于，包括：形成金属层；在所述金属层上涂覆光刻胶层；使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域；使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光，所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值。

【技术特征摘要】
1.一种金属线的制作方法，其特征在于，包括 形成金属层； 在所述金属层上涂覆光刻胶层； 使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域； 使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光，所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值。2.根据权利要求1所述的金属线的制作方法，其特征在于，所述第一次曝光与所述第二次曝光之间错位预设间距值，是沿垂直于所述金属线的方向错位所述预设间距值，以使经过第二次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度比仅经过第一次曝光之后形成的光刻胶保留区域的宽度减小所述预设间距值。3.根据权利要求1或2所述的金属线的制作方法，其特征在于，所述金属层为源漏金属层，所述光刻胶保留区域包括后续形成的数据线所对应的区域以及源极和漏极所对应的区域。4.根据权利要求3所述的金属线的制作方法，其特征在于，在使用所述第一掩膜版对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行第二次曝光之后，还包括 对进行第二次曝光后的光刻胶层进行显影处理，并对所述源漏金属层进行刻蚀，形成数据线、源极和漏极。5.根据权利要求4所述的金属线的制作方法，其特征在于，所述数据线的宽度为1.O 2.5um。6.根据权利要求1或2所述的金属线的制作方法，其特征在于，所述金属线为公共电极线或者栅线。7.一种金属线的制作方法，其特征在于，包括 形成金属层； 在所述金属层上涂覆光刻胶层； 使用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，形成光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹占锋，戴天明，姚琪，孔祥春，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：