一种提高分辨率的光刻工艺制造技术

一种提高分辨率的光刻工艺，包括：于一基底表面设置硬掩模层（hardmask），所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面；在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern）；垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上；去除所述光刻胶；以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。本光刻工艺可以在光源等技术参数不变的情况下提高光刻机的分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻工艺，特别涉及一种提高分辨率的光刻工艺。
技术介绍
20世纪60年代以来，半导体微芯片的性能有了巨大的提高，判断芯片性能的一种通用指标是芯片运行速度。器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，电路的电信号传输的距离就更短，芯片运行的速度就会提高。而让芯片上的器件放置得更紧密的方法就是缩小其物理尺寸特征，即为我们常说的关键尺寸(CD)。—直以来，关键尺寸的缩小都依赖于光亥lj，分辨率的表达式可表述为，其中代表光刻光源的波长，NA代表光刻设备镜头的通光数值孔径，fc代表工艺因子。光源的波长I越小，能够实现的分辨率越高。1970年开发的第一台步进光刻机采用的是436nm波长G线汞灯，到了 80年代后期，随着亚微米技术的需求，波长365nm的光源成为半导体前沿技术，其后248nm的KrF、193nm的ArF、13. 4nm的深紫外光EUV不断进入半导体光刻领域。通常光源波长的减小非常困难，往往需要约10年时间开发新的光源，增加物镜的数值孔径NA也是提高分辨率的常用手段，从最初NA为O. 28的步进光刻机发展至今，干法光刻机中最大的NA值为O. 93，湿法还开发出NA〉I的浸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高分辨率的光刻工艺，包括：于一基底表面设置硬掩模层（hard?mask），所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面；在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern）；垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上；去除所述光刻胶；以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。

【技术特征摘要】
1.一种提高分辨率的光刻工艺，包括 于一基底表面设置硬掩模层(hard mask)，所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面； 在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern)； 垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上； 去除所述光刻胶；以及 垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。2.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述第二表面包括一个楔形面。3.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述第二表面包括多个楔形面。4.根据权利要求3所述的光刻工艺，其特征在于，所述多个楔形面按相同楔形方向排列。5.根据权利要求3所述的光刻工艺，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：章磊，韩传友，段立峰，徐涛，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：