掩模板、曝光系统和曝光方法技术方案

技术编号:8562402 阅读:210 留言:0更新日期:2013-04-11 03:57
本发明专利技术提供一种掩模板、曝光系统和曝光方法,属于显示技术领域。曝光系统包括掩膜板和主反射结构,掩膜板包括透光区域和不透光区域,透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应;在曝光光线照射掩膜板,穿过掩膜板的透光区域对第一基板进行曝光时,掩膜板的反射区域反射曝光光线至主反射结构,主反射结构将反射区域反射来的光线再反射至第二基板的待曝光区域对第二基板进行曝光。本发明专利技术能够解决对具有不同构图图案的基板,需要用不同的掩膜板进行曝光;并且每次曝光过程中,照射在掩模板不透光区域的曝光光线没有被利用的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)在当前的显示领域中占据了主导地位,其产品具有体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点,已经被广泛应用于现代数字信息化设备中。TFT-1XD是由阵列基板和彩膜基板对盒而成,在阵列基板上形成有相互交叉定义出像素区域的栅线和数据线,在各种像素区域中形成有像素电极和薄膜晶体管;在彩膜基板上形成有黑矩阵和彩色滤光层。在阵列基板和彩膜基板之间的液晶在不同电场强度的作用下产生不同的转动来达到显示的明暗,配合彩膜基板的彩色滤光层,就可达到彩色图像显示效果。在阵列基板形成工艺中,栅极及其栅线、栅绝缘层、半导体层、源漏电极层以及数据线、钝化保护层、像素电极的形成可以通过光刻工艺实现。在光刻工艺中,涂覆光刻胶,通过掩模板对光刻胶层进行曝光、显影,后经刻蚀、剥离处理,得到图案化膜层。彩膜基板的彩色滤光层部分也可以通过光刻工艺形成。在实现上述利用掩模板对光刻胶进行曝光的过程中,对具有不同构案的基板,需要用不同的掩膜板对光刻胶进行曝光;本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板,所述掩膜板包括透光区域和不透光区域,其特征在于,所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板,所述掩膜板包括透光区域和不透光区域,其特征在于,所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应。2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述反射区域位于所述掩膜板远离第一基板方向的一侧。3.—种曝光系统,其特征在于,包括掩膜板和设置在所述掩膜板上方的主反射结构,所述掩膜板包括透光区域和不透光区域,所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应; 在曝光光线照射所述掩膜板,穿过掩膜板的透光区域对第一基板进行曝光时,所述掩膜板的反射区域反射曝光光线至所述主反射结构,所述主反射结构将所述反射区域反射来的光线再反射至第二基板的待曝光区域对第二基板进行曝光。4.根据权利要求3所述的曝光系统,其特征在于,所述系统还包括 从反射结构,用于接收主反射结构反射的光线,并反射至所述第二基板的待曝光区域。5.根据权利要求4所述的曝光系统,其特征在于,所述系统还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈珍霞李凡姜妮
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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