透镜的形成方法、透镜及负型感光性组成物技术

本发明专利技术提供一种微透镜的形成方法、微透镜及负型感光性组成物，所述微透镜的形成方法的特征在于包含：步骤1：于基板上形成负型感光性组成物的覆膜的步骤，所述负型感光性组成物含有聚硅氧烷（A）、光产酸剂（B）及具有保护基的胺（C）；步骤2：对所述覆膜进行选择性曝光，对所曝光的覆膜进行显影的步骤；及步骤3：对显影后的覆膜进行加热的步骤。利用本发明专利技术的微透镜的形成方法，可形成耐热性优异的微透镜。本发明专利技术的负型感光性组成物可使用所述微透镜的形成方法，从而形成耐热性优异的微透镜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种透镜的形成方法、透镜及负型感光性组成物。
技术介绍
于电荷稱合元件(Charge Coupled Device, CO))、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)、双凸透镜(lenticular)、发光二极管(Light Emitting Diode, LED)及光纤等的光学系统元件中使用具有0.1 ii m 100 ii m左右的透镜直径的微透镜、及使该些微透镜成为阵列状的微透镜阵列。使用聚硅氧烷的微透镜形成用组成物已知有使用具有乙烯性不饱和双键基的聚硅氧烷、具有巯基的化合物、及醌二叠氮化合物的感光性组成物(专利文献1)，使用具有环氧基的聚硅氧烷、鎗盐、及醌二叠氮化合物的感光性组成物(专利文献2)等。[现有技术文献][专利文献][专利文献I]日本专利特开2010-185991号公报[专利文献2]日本专利特开2009-075326号公报于LED等发光元件中，自半导体层长时间地发热，因此对发光元件中所使用的微透镜要求比现有的微透镜更优异的耐热性。
技术实现思路
本专利技术是用以解决上述课题而成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透镜的形成方法，其特征在于包含如下步骤：步骤1：于基板上形成负型感光性组成物的覆膜的步骤，所述负型感光性组成物含有聚硅氧烷（A）、光产酸剂（B）及具有保护基的胺（C）；步骤2：对所述覆膜进行选择性曝光，对所曝光的覆膜进行显影的步骤；及步骤3：对显影后的覆膜进行加热的步骤。

【技术特征摘要】
2011.09.21 JP 2011-206015;2012.05.25 JP 2012-11951.一种透镜的形成方法，其特征在于包含如下步骤步骤1:于基板上形成负型感光性组成物的覆膜的步骤，所述负型感光性组成物含有聚硅氧烷(A)、光产酸剂(B)及具有保护基的胺(C);步骤2 :对所述覆膜进行选择性曝光，对所曝光的覆膜进行显影的步骤 '及步骤3 :对显影后的覆膜进行加热的步骤。2.根据权利要求1所述的透镜的形成方法，其特征在于所述保护基是叔丁氧基羰基。3.根据权利要求1或2所述的透镜的形成方法，其特征在于所述聚硅氧烷(A)是具有具芳香族环的基的聚硅氧烷(Al)。4.根据权利要求3所述的透镜的形成方法，其特征在于于将所述聚娃氧烧(Al)中所含的所有Si原子数设为100mol%时,聚娃氧烧(Al)中所含的具有芳香族环的基的含量为30mol% 120mol%。5.根据权利要求3所述的透镜的形成方法，其特征在于所述聚硅氧烷(Al)是下述通式(I)所表示的聚硅氧烷，[化I](R1SiO3 , 2)a(R22Si02 , 2)b(R3Si03 / 2)c(R42Si02 , KR53SiOi ,上(XO1 , 2) f(I)...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋丸尚徳，松木智裕，杉浦诚，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：