集成标尺的SU-8纳米流体通道制作方法技术

本发明专利技术涉及一种集成标尺的SU-8纳米流体通道的制作方法，其特征是利用电子束曝光制作含有标尺及通道线条结构的光刻掩模板，并将上述掩模板应用于SU-8纳米流体系统的加工中，利用纳米压印并结合键合技术实现集成标尺的纳米流体通道的制作。该方法操作简单，集成标尺的纳米流体通道容易对通道内的物质尺寸及流体运动速度进行标定，更好的观察通道内物质尺寸大小的变化及流动速度等特性，同时，此方法制造成本低，且不需要苛刻的设备。对制作的纳米流体系统进行流体填充测试的结果显示了系统没有分层和堵塞，通道的边界清晰可见，也看不出键合的界面，显示了很好的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及SU-8纳米流体通道制作方法，尤其涉及一种集成标尺的SU-8纳米流 体通道制作方法。技术背景近年来，纳米流体通道相关的基础和技术应用研究成为引人注目的前沿领域，它 一般定义为流体流动的通道一维以上的截面处于数百到几纳米的尺寸范围。流体在其中传 输具有特异的性质，能使得主导宏观和微米量级流体传输和分子行为的许多物理化学性质 发生改变。基于此系统的研究不仅突破了传统理论的一些重要概念，而且一些深入研究的 成果在DNA分子的拉伸操纵、药物释放技术、电池技术、激光器等许多领域中有重大应用。 目前加工制作的微纳流体通道通常只是平行或者交错的通道结构，不包括标尺的部分，难 以对通道内微化学反应的颗粒尺寸的变化以及流体流动的速度进行测试和标定
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种基于热键合技术的集 成标尺的SU-8纳米流体通道的制作方法，实现器件功能的拓展和制作方法的更新，并且实 现成本的降低和制作效率的提高。本专利技术所采用的技术方案一种集成标尺的SU-8纳米流体通道制作方法，按如下步骤操作a、利用电子束方法制作包括光栅线条结构及数字标尺结构的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成标尺的SU?8纳米流体通道制作方法，其特征在于：所述集成标尺的SU?8纳米流体通道按如下步骤操作：a、利用电子束方法制作包括光栅线条结构及数字标尺结构的光刻掩模板；b、在石英模板旋涂光刻胶，利用光学光刻法将光刻掩模板上的光栅线条结构及数字标尺结构制作到光刻胶上，再通过反应离子刻蚀将光刻胶上的光栅线条结构及数字标尺结构转移到石英模板上；c、在石英片表面旋涂SU?8光刻胶，经90℃烘烤形成石英基底；d、在石英模板的表面旋涂脱模剂后层压在石英基底上，90℃预热使石英基底表面的SU?8光刻胶软化，向石英模板施加压印压力，使石英模板压入软化的SU?8光刻胶，90℃保持压印压力20min后自然冷却...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李小军，尤晖，王旭迪，付绍军，高钧，蒋锐，朱利凯，唐敏，孔德义，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：