光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的光刻方法，所述光刻方法包括步骤：以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环。所述抗蚀剂环被辐射以从抗蚀剂环上去除图案，或者防止经过辐射的抗蚀剂环被图案化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于产生与所述IC的单层 相对应的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标 部分(例如，包括一个或多个管芯的部分)上，所述衬底具有一层辐射敏 感材料(抗蚀剂)。通常，单独的衬底将包含连续被曝光的相邻目标部分 的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全 部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描 器，在所述扫描器中，通过沿给定方向(扫描方向)用辐射束扫描所述 图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个 目标部分。在一些情况下，需要确保例如衬底的外侧区域上的一定区段的抗蚀剂 是容易去除的。所述外侧区域可以例如是衬底的外围区域(例如边沿区 域)。例如当封装IC (即安装到电路板上)时，一个这种情况出现。通常 采用导线将IC与电路板相连。然而，近年来，导线所粘合的位置之间的距 离己经逐渐变小，且采用导线粘合更为困难。公知为倒装芯片凸起形成的 工艺越来越多地被用于替代采用连接导线来连接IC与电路板。在倒装芯片 凸起形成工艺中，焊料(或某些其他金属)被提供在衬底上的每个IC上的特定位置上。衬底被翻转，并例如通过加热焊料以使得焊料融化并在之后 使其再次冷却而将衬底结合至电路板。焊料(或其他金属)可以通过光刻工艺将自身设置在特定的位置上。在这种工艺中，可能包括多个ic的衬底设置有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)。光刻设备可以被用于辐射抗蚀剂，并随后在特定的位置上选择性地 去除抗蚀剂，在所述位置上，需要焊料的凸起(本领域内的技术人员应 当理解，依赖于所使用的是正性抗蚀剂还是负性抗蚀剂，所述区域可以是经过辐射的区域或者未经过辐射的区域)。然后，IC可以经过电镀步骤将 焊料应用到IC的特定位置上。正如所理解的那样，电镀工艺涉及对金属将要沉积于其上的物品的电连接。相应地，电镀步骤需要衬底的无抗蚀剂区 段以进行电连接。
技术实现思路
尽管提供用于进行这种电连接的单个无抗蚀剂点就足够了 ，但是在衬 底的外侧区域周围提供无抗蚀剂的衬底的连续环是有益的。这种配置可以 使得电连接更可靠。进而，在衬底的外侧边沿周围的连续无抗蚀剂环允许 采用无抗蚀剂区域方便地形成电镀槽。例如，直立的壁可以被设置在衬底 的无抗蚀剂区域上，以使得衬底形成电镀槽的基础。例如，为了确保至衬底的良好的电连接，无抗蚀剂环应当是连续的、 无抗蚀剂的和不受污染的。为了帮助确保此，提供衬底的图案化区域不显 著地侵占或紧邻无抗蚀剂区域(或者将随后去除抗蚀剂的区域)相邻是有 用的。这致使例如在衬底的图案化区段的处理中使用的化学物质、溶液等 不泄漏到无抗蚀剂区域上或无抗蚀剂区域中。这种泄漏可以通过在图案化 的区域周围形成称为环形密封的隔离物或密封。例如，旨在提供一种用于形成这种环形密封的新设备和方法。根据本专利技术的一个方面，提供一种环形密封形成设备，包括 衬底保持架，配置用于保持至少一部分涂覆有抗蚀剂的衬底；以及 深紫外辐射出口，配置用于辐射抗蚀剂区段，在衬底保持架和深紫外辐射出口之间能够产生相对运动，设置所述运动以使得在设备的使用中，由深紫外辐射出口辐射的抗蚀剂的区段是环形的。根据本专利技术的另一个方面，提供一种设置有环形密封形成设备的光刻设备，所述环形密封形成设备包括衬底保持架，配置用于保持至少一部分涂覆有抗蚀剂的衬底；以及 深紫外辐射出口，配置用于辐射抗蚀剂区段，其中，设置所述衬底保持架和深紫外辐射出口以使得在衬底保持架和 深紫外辐射出口之间能够产生相对运动，以便辐射抗蚀剂环而形成环形密 封。根据本专利技术的另一个方面，提供一种设置有环形密封的衬底，所述环 形密封通过以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环而形成。根据本专利技术的另一个方面，提供一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底 上形成环形密封的方法，所述方法包括以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂 环的步骤。根据本专利技术的另一个方面，提供一种包括通过以深紫外辐射辐射衬底 上的抗蚀剂环来在至少部分被抗蚀剂涂覆的衬底上形成环形密封的光刻 方法。附图说明在此仅借助示例，参照所附示意图对本专利技术的实施例进行描述，在所 附示意图中，相同的附图标记表示相同的部件，且其中 图l示出根据本专利技术的实施例的光刻设备；图2a至图2C示出稂据本专利技术的实施例的环形密封形成设备和衬底； 图3a至图3c示出本专利技术的实施例的操作原理；以及 图4a和图4b是根据可能被采用以形成环形密封的本专利技术实施例的工 艺流程图。具体实施例方式图l示意性地示出根据本专利技术的特定实施例的光刻设备。所述设备包括照射系统(照射器)IL，用于调节辐射束PB (例如，紫外辐射或深 紫外辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，用于支撑图案形成装置(例如掩模) MA，并与用于相对于部件PL精确地定位图案形成装置的第一定为装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂 的晶片)W，并与用于相对于部件PL精确地定位衬底的第二定为装置PW 相连；以及投影系统(例如折射式投影透镜)PL，配置用于将由图案形成装置 MA赋予辐射束PB的图案成像到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多 根管芯)上；以及紫外辐射出口 (UVS)，配置用于辐射涂覆衬底W的抗蚀剂的所选部 分，所述UVS的重要性将在下文中进行更详细地描述。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替 代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用可编程反射镜阵列)。这里所使用的术语图案形成装置应该被广义地理解为能够用于将 其横截面上的图案赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何 装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底目标部分上的所需 图案完全相对应。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器 件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括 掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移 掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例 采用小反射镜的矩阵排列，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同 方向反射入射的辐射束；以这样的方式，所反射的辐射束被图案化。支撑结构保持图案形成装置。其以依赖于图案形成装置的取向、光刻 设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的 方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械夹持、真空或其他夹 持技术(例如在真空条件下的静电夹持)。支撑结构可以是框架或台，例 如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案 形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里使用的术语 掩模版或掩模都可以认为与更上位的术语图案形成装置同义。应该将这里使用的术语投影系统广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统和反射折射型光学系统， 如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的方法，所述方法包括步骤：以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环。

【技术特征摘要】
US 2006-11-21 60/860,214;US 2006-12-21 11/642,9861.一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的方法，所述方法包括步骤以深紫外辐射辐射衬底上的抗蚀剂环。2. 根据权利要求l所述的方法，其中，所述抗蚀剂环被辐射以从抗蚀 剂环上去除图案，或者防止经过辐射的抗蚀剂环被图案化。3. 根据权利要求l所述的方法，其中，所述深紫外辐射的波长小于或等于193nm、 248nm、 250nm或275nm。4. 根据权利要求l所述的方法，其中，所述深紫外辐射的波长足以使 抗蚀剂环中发生交联或聚合。5. 根据权利要求l所述的方法，包括辐射抗蚀剂以形成交联或聚合层， 所述交联或聚合层足够厚以防止当抗蚀剂被随后进行显影时在交联或聚 合层下的抗蚀剂发生显影。6. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述交联或聚合层至少为200nm厚。7. 根据权利要求l所述的方法，包括步骤相对于深紫外辐射出口旋 转衬底，以由深紫外辐射辐射抗蚀剂环。8. 根据权利要求l所述的方法，包括步骤在衬底周围移动深紫外辐 射出口，以由深紫外辐射辐...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂成群，鲁迪詹玛丽佩伦斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]