薄膜涂膜的方法技术

本发明专利技术是关于一种形成连续薄膜层的薄膜涂膜的方法，所述的方法包含：提供一具有一表面的基板；于所述的表面上形成一第一图案化薄膜层，所述的第一图案化薄膜层包括复数个彼此隔开的第一薄膜单元；且于所述的第一图案化薄膜层之上形成一第二图案化薄膜层，所述的第二图案化薄膜层沿第一图案化薄膜层延伸且包括复数个彼此隔开的第二薄膜单元，所述的复数个第二薄膜单元的每一者连接第一图案化薄膜层的至少两个紧邻的第一薄膜单元。使用本发明专利技术的方法能够于与薄膜具有相对低亲和力的表面层上形成连续薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大致是关于薄膜涂膜，更具体地讲是关于一种能够于一表面层上 涂膜的方法。
技术介绍
随着对小型、轻重量及低轮廓的电子产品的需求日益增加，众多产品经 制造具有微型特征尺寸。举例而言，无机半导体制造技术的发展满足了—对于 电子产品及组件微型化的需求。然而，无机半导体制造技术通常包括高温步 骤及昂贵制造工艺。为解决所述的这些问题，己开发出支持低温及相对具成 本效益的制造的由有机材料制成的可挠性基板。可挠性基板可由薄膜镀膜制 造工艺(诸如旋涂或喷墨印刷)来制造。喷墨印刷制造工艺可在其相对低成 本的直接及大面积沉积能力方面具有优势且可用于以下范围的各种应用中-制造被动组件，诸如电阻器、电感器及电容器；主动组件，诸如薄膜晶体管 及存储装置；电子产品，诸如显示器、感应器及太阳能电池。虽然具有优于无机半导体制造工艺的所有优点及竞争性，有机溶液制造 工艺通常无法在一表面涂上平滑且均匀的薄膜层，此可能归因于所述的表面 与随后形成薄膜的溶液之间的表面能差异。图1A为说明对一基板10不敏感 的液体薄膜12的示意图，且图1B为说明对一基板11敏感的液体薄膜13的 示意图。参看图1A，其说明一现有喷墨印刷系统的实例，随着一喷墨头16 横越基板10，墨水液滴14自所述的喷墨头16的喷嘴向所述的基板10的表面 10-1喷射。因为薄膜12对所述的表面10-1不敏感(即，与表面10-1具有相 对高亲和力)，所以薄膜12展开且湿润表面10-1且随后于其上变为一大体上 平滑且均匀的层。然而，参看图1B，若薄膜13对基板11的表面ll-l敏感(即，与表面11-1具有相对低亲和力)，则液体薄膜13的内聚力大于表面张力，从而在表面ii-i上产生一不理想的不连续薄膜层。 一般而言，若表面接触角e大于45°，则薄膜具有与基板的相对高亲和力，且若表面接触角6小于45°，则薄膜具有与基板的相对低亲和力。表面接触角是指液体或蒸气界面与固体 界面接触所成的角。为解决有机制造工艺的问题，已提出许多方法。现有方法的一实例可见于Cbz'ger等人的标题为Ink Jet Printer with Apparatus for Curing Ink and Method的美国专利第6,145,979号中。。^r等人揭示一种于一移动基板上 形成影像的制造工艺及设备，其包括借由一印刷头于基板上喷墨印刷可辐射 固化的墨水。此类方法通常需要一加热源，其可能破坏敏感性薄膜。现有方 法的另一实例可见于由Camp6e〃等人申请的标题为Plasma Treatment of Porous Inkjet Receivers的美国专利申请案第20050123696号中。Camp&Z/等 人揭示一种喷墨记录元件，其包含一具有互连空隙的多孔墨水容纳层，其中 所述的墨水容纳层的上表面己经过等离子处理，且在等离子处理之前，所述 的墨水容纳层的上表面量测到至少40%的碳元素含量。然而，此类方法可能 无法应用于诸如包括半导体及导电溶剂的功能性溶液。因此需要有一种能够于与薄膜具有相对低亲和力的表面层上形成连续薄 膜的方法。亦需要有一种能够形成包括半导体、导电或有机材料的连续薄膜 的方法。
技术实现思路
本专利技术的实例可提供一种形成连续薄膜层的方法，所述的方法包含提供一具有一表面的基板；于所述的表面上形成一第一图案化薄膜层，所述的 第一图案化薄膜层包括复数个彼此隔开的第一薄膜单元；且于所述的第一图 案化薄膜层之上形成一第二图案化薄膜层，所述的第二图案化薄膜层沿第一 图案化薄膜层延伸且包括复数个彼此隔开的第二薄膜单元，所述的复数个第 二薄膜单元的每一者连接第一图案化薄膜层的至少两个紧邻的第一薄膜单 元。本专利技术的一些实例亦可提供一种形成连续薄膜层的方法，所述的方法包 含提供一具有一表面的基板；于所述的表面上形成一第一薄膜层，所述的 第一薄膜层包括复数个彼此隔开的薄膜单元；且于所述的第一薄膜层之上形 成一第二薄膜层，所述的第二薄膜层沿第一薄膜层的所述的复数个薄膜单元 连续延伸。本专利技术的实例可进一步提供一种形成连续薄膜层的方法，所述的方法包 含提供一具有一表面的基板；于所述的表面上形成至少一个第一薄膜层， 所述的至少一个第一薄膜层彼此隔开，所述的至少一个第一薄膜层的每一者 包括复数个第一薄膜单元，所述的这些第一薄膜单元的每一者彼此隔开；且 于所述的至少一个第一薄膜层之上形成至少一个第二薄膜层，所述的至少一 个第二薄膜层的每一者对应于至少一个第一薄膜层的一者且沿至少一个第一 薄膜层的相应一者的第一薄膜单元延伸。本专利技术的实例可提供一种具有一基板的装置，所述的基板上提供一连续 薄膜层，所述的连续薄膜层包括在所述的基板的一表面上的第一薄膜层， 所述的第一薄膜层包括复数个彼此隔开的薄膜单元；及在第一薄膜层上的第 二薄膜层，所述的第二薄膜层沿第一薄膜层的所述的复数个薄膜单元连续延 伸。使用本专利技术的方法能够于与薄膜具有相对低亲和力的表面层上形成连续 薄膜。附图说明图1A为说明对基板不敏感的薄膜的示意图； 图1B为说明对基板敏感的薄膜的示意图2A及图2B为说明根据本专利技术的一实例形成连续薄膜的方法的示意性横截面图2C为说明根据本专利技术的另一实例形成连续薄膜的方法的示意性横截 面图2D及图2E为说明根据本专利技术的实例形成连续薄膜的方法的示意性俯 视图3A及图3B为说明现有方法与根据本专利技术的一实例的方法间的比较的 例示图；及图4A及图4B为说明现有方法与根据本专利技术的一实例的方法间的比较的 例示图。附图标号10基板10-1表面11基板11-1表面12薄膜13液体薄膜/薄膜14墨水液滴16喷墨头20基板20-1表面21第一图案化薄膜层21-1第一薄膜单元22第二图案化薄膜层22-1第二薄膜单元23连续薄膜24第一图案化薄膜层24-1第一薄膜单元24-2第三薄膜单元25第二图案化薄膜层25-1第二薄膜单元25-2第四薄膜单元26第一图案化薄膜层26-1第一薄膜单元26-2第三薄膜单元27第二图案化薄膜层27-1第二薄膜单元27-2第四薄膜层30表面31图案化薄膜层31-1薄膜单元32连续薄膜33图案化薄膜层/薄膜34图案化薄膜层/薄膜35连续薄膜层38不连续薄膜层39不连续薄膜层41表面/Si02表面42表面/ITO表面43薄膜层w,图案化薄膜层31的宽度W2连续薄膜层35的宽度 具体实施例方式本专利技术的额外特征及优点将部分地在随后描述中加以陈述，且部分地将 自所述的描述显而易见，或可由实践本专利技术掌握。借助于在权利要求书中特 定指出的元件及组合将了解且获得本专利技术的特征及优点。当连同附图一起阅读时，将更佳理解前述
技术实现思路
以及本专利技术的以下详 细描述。出于说明本专利技术的目的，在图式中所示为目前较佳的实施例。然而， 应了解本专利技术并非限制于所示的精确配置及功用。现将详细参照本专利技术的实施例，其实例在伴随图式中进行说明。在任何 可能的情况下，在诸图式中相同参考数字用以指示相同或类似部分。图2A及图2B为根据本专利技术的一实例形成连续薄膜的方法的示意性横截 面图。参看图2A，提供一包括一表面20-l的基板20。所述的基板20可包括 玻璃基板、树脂基板及硅基板的一者。 一包括复数个第一薄膜单元21-1的第 一图案化薄膜层21形成于所述的表面20-1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成一连续薄膜层的方法，其特征在于，所述的方法包含：　　　　提供一具有一表面的基板；　　　　于所述的表面上形成一第一图案化薄膜层，所述的第一图案化薄膜层包括彼此隔开的复数个第一薄膜单元；及　　　　于所述的第一图案化薄膜层上形成一第二图案化薄膜层，所述的第二图案化薄膜层沿所述的第一图案化薄膜层延伸且包括彼此隔开的复数个第二薄膜单元，所述的复数个第二薄膜单元的每一者连接所述的第一图案化薄膜层的至少两个紧邻的第一薄膜单元。

【技术特征摘要】
US 2006-11-20 60/866,440;US 2007-9-26 11/862,1681.一种形成一连续薄膜层的方法，其特征在于，所述的方法包含提供一具有一表面的基板；于所述的表面上形成一第一图案化薄膜层，所述的第一图案化薄膜层包括彼此隔开的复数个第一薄膜单元；及于所述的第一图案化薄膜层上形成一第二图案化薄膜层，所述的第二图案化薄膜层沿所述的第一图案化薄膜层延伸且包括彼此隔开的复数个第二薄膜单元，所述的复数个第二薄膜单元的每一者连接所述的第一图案化薄膜层的至少两个紧邻的第一薄膜单元。2. 如权利要求1所述的方法，其中所述的基板包括一玻璃基板、 一树脂 基板及一硅基板中的一者。3. 如权利要求1所述的方法，其中所述的第一图案化薄膜层包括一导电 材料、 一半导体材料及一绝缘材料中的一者。4. 如权利要求3所述的方法，其中所述的导电材料包括银、铜或金中的 至少一者。5. 如权利要求3所述的方法，其中所述的半导体材料包括聚-3垸基噻吩、 聚-3己基噻吩或聚-9，9'-二辛基芴共-二噻吩中的至少一者。6. 如权利要求3所述的方法，其中所述的绝缘材料包括聚酰亚胺、聚乙 烯醇、聚乙烯酚或聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一者。7. 如权利要求1所述的方法，其中所述的第二图案化薄膜层包括一导电 材料、 一半导体材料及一绝缘材料中的一者。8. 如权利要求7所述的方法，其中所述的导电材料包括银、铜或金中的 至少一者。9. 如权利要求7所述的方法，其中所述的半导体材料包括聚-3烷基噻吩、 聚-3己基噻吩或聚-9,9'-二辛基药共-二噻吩中的至少一者。10，如权利要求7所述的方法，其中所述的绝缘材料包括聚酰亚胺、聚乙 烯醇、聚乙烯酚或聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一者。11. 一种形成一连续薄膜层的方法，其特征在于，所述的方法包含 提供一具有一表面的基板；于所述的表面上形成一第一薄膜层，所述的第一薄膜层包括彼此隔开的 复数个薄膜单元；及于所述的第一薄膜层上形成一第二薄膜层，所述的第二薄膜层沿所述的 第一薄膜层的所述的复数个薄膜单元连续延伸。12. 如权利要求11所述的方法，其中所述的第一薄膜层或所述的第二薄 膜层的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕志平，李裕正，林国栋，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]