【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于量测的方法和装置以及使用光刻技术制造器件的方法，该量测可用于例如通过光刻技术制造器件。
技术介绍
1、光刻装置是一种机器，其将期望的图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上。例如，光刻装置可以用于制造集成电路(ic)。在这种情况下，可以使用图案形成装置(备选地称为掩模或掩模版)来生成要形成在ic的单独层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或几个裸片)上。图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含相继被图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中，经常需要对所产生的结构进行测量，例如，用于工艺控制和验证。用于进行这样的测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(cd)的扫描电子显微镜以及用于测量套刻精度的专用工具，其是器件中的两个层的对准准确度的量度。套刻精度可以根据两个层之间的未对准程度来描述，例如，对1nm的测量套刻精度的引用可以描述两个层未对准1nm的情况。
2、最近，已经开发了各种形式的散射仪用于光刻领域。这些装置将辐射束引导到目标上并且测量经散射的辐射的一个或多个性质(例如，根据波长变化的单个反射角处的强度；根据反射角变化的一个或多个波长处的强度；或者根据反射角变化的偏振)，以获得可以根据其确定目标的感兴趣性质的“光谱”。感兴趣性质的确定可以通过各种技术来执行：例如，通过诸如严格耦合波分析或有限元方法等迭代方法进行的目标重建；库搜索；以及主成分分析。
3、常规散射仪使用的目标相对较
4、在已知的量测技术中，通过在某些条件下测量套刻精度目标两次来获得套刻精度测量结果，同时旋转套刻精度目标或改变照射模式或成像模式以单独获得第-1和第1衍射阶强度。对于给定的套刻精度目标，强度不对称性、这些衍射阶强度的比较提供了目标不对称性(即，目标中的不对称性)的测量。套刻精度目标中的这种不对称性可以用作套刻精度误差的指示符(两个层的不期望的未对准)。
5、最近，已经设计出集成量测方法。这包括在光刻工艺期间在衬底上进行参数(例如，套刻精度、焦点或临界尺寸)的在线测量。期望改进这些测量的准确性。
技术实现思路
1、本专利技术的第一方面提供了一种测量目标的方法，其包括：在衬底上在一个或多个先前层之上的当前层中通过光刻工艺对结构的曝光之后，测量所述目标，其中所述一个或多个先前层均已经经历蚀刻步骤，并且其中所述目标仅被包括在所述一个或多个先前层中的至少一个中，从而获得所述目标的蚀刻后测量。
2、本专利技术的第二方面提供了一种执行光刻工艺的方法，其包括：执行光刻步骤以在衬底上的一个或多个先前层中形成结构，所述先前层中的至少一个包括目标；在所述一个或多个先前层上执行蚀刻步骤；曝光在所述一个或多个先前层之上的当前层；并且在这些步骤之后：测量所述目标以获得所述目标的蚀刻后测量。
3、本专利技术的第三方面提供了一种光刻单元，其包括光刻装置和量测装置，所述光刻单元可操作用于执行第一方面或第二方面的方法。
4、本专利技术还提供了一种计算机程序，其包括处理器可读指令，处理器可读指令当在合适的处理器控制的装置上运行时引起处理器控制的装置执行第一方面或第二方面的方法，本专利技术还提供了一种计算机程序载体，其包括这样的计算机程序。处理器控制的装置可以包括第三方面的光刻单元。
5、下面参考附图详细描述本专利技术的其他特征和优点、以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。应当注意，本专利技术不限于本文所述的具体实施例。这样的实施例仅出于说明性目的而在本文中呈现。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是很清楚的。
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1.一种测量目标的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量步骤在所述当前层的显影步骤之后执行。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述当前层的蚀刻之前，所述测量步骤通过所述当前层将要被蚀刻到其中的层和/或掩模层来执行。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一产品结构和所述第二产品结构均具有小于100nm的分辨率，并且其中所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标包括在一个所述先前层中的用于测量所述层中的临界尺寸的临界尺寸目标。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括：在对其中形成所述目标的最上层执行蚀刻步骤之前，执行所述目标的初始测量；
7.根据权利要求1所述的方法，包括：使用所述蚀刻后测量来控制在后续衬底上形成适当的一个或多个先前层的光刻工艺，所述适当的一个或多个先前层与在其中形成所述目标的层对应。
8.根据权利要求1所述的方法，包括：在一个或多个后续衬底的预处理期间，执行所述蚀刻后测量。
9.根据权利要求1所述的方法，包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种测量目标的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量步骤在所述当前层的显影步骤之后执行。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述当前层的蚀刻之前，所述测量步骤通过所述当前层将要被蚀刻到其中的层和/或掩模层来执行。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一产品结构和所述第二产品结构均具有小于100nm的分辨率，并且其中所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标包括在一个所述先前层中的用于测量所述层中的临界尺寸的临界尺寸目标。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括：在对其中形成所述目标的最上层执行蚀刻步骤之前，执行所述目标的初始测量；
7.根据权利要求1所述的方法，包括：使用所述蚀刻后测量来控制在后续衬底上形成适当的一个或多个先前层的光刻工艺，所述适当的一个或多个先前层与在其中形成所述目标的层...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·布哈塔查里亚，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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