显示面板制造技术

一种显示面板包括：形成在基板上的栅极线；形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘并与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管（ＴＦＴ）；以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极与ＴＦＴ相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧，其中，ＴＦＴ和存储电极线位于第一和第二子电极之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示面板，更具体地，涉及一种液晶显示器(LCD) 的显示面板。
技术介绍
作为常用平板显示器之一的液晶显示器(LCD)设备包括其上形 成有例如像素电极和公共电极的场产生电极的两个显示面板、以及置 于两者之间的液晶层。在LCD设备中，向场产生电极施加电压，以在液 晶层中产生电场，从而确定液晶层的液晶分子的排列，并控制入射光 的偏振，从而可以显示图像。为了加宽视角，使液晶分子排列为与上下基板垂直，并且在像素 电极和相对电极上形成剪切图案，并且在另一方法中，将电极分为多 个子电极。此外，可使栅极线形成为靠近像素电极的上边界区域或下边界区 域，以便增加孔径比。
技术实现思路
剪切图案的形成使孔径比减小了与剪切图案相对应的部分，而由 于存在用于连接子电极的连接部件，所以子电极的形成同样减小了孔 径比。由于电场的相反方向和不同幅度，液晶分子也许未充分对齐，所以在相邻像素电极的边界区域也许会出现光泄漏。由于形成阻光部件以避免光泄漏，所以会减小孔径比。 在将栅极线形成为靠近像素电极的下边界时，回扫电压根据扫描 方向(例如向前和向后)而改变，这引起了闪烁效应。也即，当通过向前扫描而将信号输入第N根栅极线之后将信号输 入第N+l根栅极线时，输入第N个像素电极的电压并不影响第N+l根 栅极线的信号，因为在第N个像素电极和第N+1根栅极线之间的距离 足够远。然而，当通过向后扫描而将信号输入第N根栅极线之后将信号输 入第N-1根栅极线时，输入第N个像素电极的电压影响第N-1根栅极 线的信号，因为第N个像素电极和第N-l根栅极线之间的距离靠近， 而这引起了回扫电压。本专利技术的实施例提供了一种液晶显示器(LCD)，可避免光泄漏、 最小化孔径比的减小、避免由回扫电压引起的闪烁效应、并在LCD内 提供高亮度。根据本专利技术示范性实施例的一种显示面板包括形成在基板上的 栅极线；形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘 并与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管 (TFT);以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极 与TFT相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一 侧，其中，TFT和存储电极线位于第一和第二子电极之间。该显示面板还包括与基板相对的相对基板；形成在相对基板上 的滤色器；以及形成在滤色器上并具有多个剪切部分的公共电极。存储电极线可位于第一和第二子电极之间。TFT可包括与栅极线相连的栅电极；与栅电极绝缘且与栅电极 重叠的半导体；与数据线相连且与半导体重叠的源电极；以及与半导 体重叠并与源电极相对的漏电极。可通过漏电极与存储电极线重叠，形成电容器。显示面板还可包括连接第一和第二子电极的连接部件。该连接部件可包括与漏电极电连接的突出。TFT分别包括半导体，形成在基板上，并包括沟道区以及漏极和源极区；栅电极，与沟道区绝缘并与沟道区重叠；源电极，与源极 区电连接；以及漏电极，与漏极区电连接。 该半导体可包括多晶硅。该存储电极线可包括扩展部分，并且该半导体还可包括与扩展部 分重叠的存储电容器区。可通过漏电极与存储电极线重叠，形成电容器。该显示面板还可包括连接第一和第二子电极的连接部件，并且连 接部件可包括与漏电极电连接的突出。该显示面板还可包括形成在基板上并与栅极线平行延伸的辅助电极。辅助电极的边界线可与相邻像素电极的像素电极的上边界线或下 边界线重合。辅助电极的边界线可位于相邻像素电极的上边界线和下边界线之间。可向辅助电极和公共电极施加相同的电压。栅极线和辅助电极可由相同的材料制成。存储电极线位于相邻像素电极之间的边界线上。存储电极线还可包括向TFT突出的存储电极。TFT还可包括栅电极，与栅极线相连；半导体，与栅电极绝缘 且与栅电极重叠；源电极，与数据线相连且与半导体重叠；以及漏电 极，与半导体重叠且与源电极相对。漏电极可与电容器导体相连，所 述存储电容器与存储电极重叠。存储电极可关于剪切部分上下左右对称地形成。剪切部分可位于与第一子电极的中心和第二子电极的中心相对应 的位置处。剪切部分可为具有圆角的四边形或圆形。该显示面板还可包括形成在相对基板上并位于第一和第二子电极 之间的阻光部件。第一和第二子电极可为具有圆角的四边形。根据本专利技术示范性实施例的一种显示面板包括形成在基板上的 栅极线；形成在基板上与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘且与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管 (TFT);以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极 与TFT相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一 侧。栅极线形成在第一和第二子电极之间。存储电极线可位于两个相邻像素电极之间。该显示面板还可包括与基板相对的相对基板；形成在相对基板 上的滤色器；以及形成在滤色器上并具有多个剪切部分的公共电极。 存储电极线可包括向TFT突出的存储电极。存储电极可关于剪切部分上下左右对称地形成。TFT可包括与栅极线相连的栅电极；与栅电极绝缘且与栅电极 重叠的半导体；与数据线相连且与半导体重叠的源电极；以及与半导 体重叠且与源电极相对的漏电极。漏电极可与电容器导体重叠，所述 电容器导体与存储电极重叠。像素电极可通过接触孔与电容器导体相连。接触孔可与剪切部分重叠。存储电极线的边界线可与相邻像素电极的上边界线或下边界线重合。存储电极线的边界线可位于相邻像素电极的上边界线和下边界线 之间。附图说明通过参考附图来更加详细地描述本专利技术的示范性实施例，本专利技术 将变得显而易见，附图中图l是根据本专利技术示范性实施例的液晶显示器(LCD)的布局图。图2是图l中的LCD沿线n-II的截面图。图3是根据本专利技术示范性实施例的LCD的布局图。图4是图3中的LCD沿线IV-IV的截面图。图5是根据本专利技术示范性实施例的LCD的布局图。图6是图5中的LCD沿线VI-VI的截面图。图7是根据本专利技术示范性实施例的LCD的布局图。图8是图7所示的LCD沿线VI11-VIII的截面图。具体实施例方式下面参考附图来更完整地描述本专利技术的示范性实施例。然而，本 专利技术可以多种不同形式实现，并且不应该被理解为局限于这里给出的 实施例。在整个说明书中，类似的附图标记指代类似的元件。应该理解， 当将例如层、膜、区域或基板的元件称为在另一元件之上时，它 可直接位于所述另一元件之上，或者也可存在居间元件。现在参考图1和2来详细描述根据本专利技术示范性实施例的液晶显示器(LCD)。图1是根据本专利技术的一个示范性实施例的液晶显示器(LCD)的布局图，图2是图1中的LCD沿线I1-II的截面图。参考图1和2，根据本专利技术示范性实施例的LCD包括薄膜晶体管 (TFT)阵列面板100、公共电极面板200、以及置于显示面板100和200之间的液晶层3。首先，描述TFT阵列面板IOO。由例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的阻挡膜lll形成 在由例如玻璃或塑料制成的绝缘基板110上。阻挡膜111可具有多层 结构。由多晶硅制成的多个半导体岛151形成在阻挡膜111上。半导体 岛151包括沿垂直方向延伸的垂直部分和与垂直部分相连且沿水平方 向延伸的水平部分。垂直和水平部分的末端部分可具有用于与不同层 相连的较大面积。每个半导体岛151包括彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括：形成在基板上的栅极线；形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘并与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管；以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第 一子电极与薄膜晶体管相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧，其中，薄膜晶体管和栅极线位于第一和第二子电极之间。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-23 10-2006-01162711.一种显示面板，包括形成在基板上的栅极线；形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘并与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管；以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极与薄膜晶体管相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧，其中，薄膜晶体管和栅极线位于第一和第二子电极之间。2. 根据权利要求1所述的显示面板，还包括 与基板相对的相对基板； 形成在相对基板上的滤色器；以及 形成在滤色器上并具有多个剪切部分的公共电极。3. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，存储电极线位于第一 和第二子电极之间。4. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，薄膜晶体管包括-与栅极线相连的栅电极； 与栅电极绝缘且与栅电极重叠的半导体； 与数据线相连且与半导体重叠的源电极；以及 与半导体重叠并与源电极相对的漏电极。5. 根据权利要求4所述的显示面板，其中，通过漏电极与存储电 极线重叠，形成电容器。6. 根据权利要求4所述的显示面板，还包括连接第一和第二子电 极的连接部件。7. 根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述连接部件包括与 漏电极电连接的突出。8. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，薄膜晶体管分别包括: 半导体，形成在基板上，并包括沟道区以及漏极和源极区； 栅电极，与沟道区绝缘并与沟道区重叠； 源电极，与源极区电连接；以及 漏电极，与漏极区电连接。9. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述半导体包括多晶娃。10. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述存储电极线包 括扩展部分，并且所述半导体还包括与扩展部分重叠的存储电容器区。11. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，通过漏电极与存储 电极线重叠，形成电容器。12. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，连接部件包括与漏 电极电连接的突出。13. 根据权利要求3所述的显示面板，还包括形成在基板上并与 栅极线平行延伸的辅助电极。14. 根据权利要求13所述的显示面板，其中，辅助电极的边界线 与相邻像素电极的像素电极的上边界线或下边界线重合。15. 根据权利要求13所述的显示面板，其中，辅助电极的边界线 位于相邻像素电极的上边界线和下边界线之间。16. 根据权利要求13所述的显示面板，其中，向辅助电极和公共 电极施加相同的电压。17. 根据权利要求13所述的显示面板，其中，栅极线和辅助电极 由相同的材料制成。18. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，存储电极线位于相 邻像...

【专利技术属性】
技术研发人员：金喆镐，文国哲，崔弼模，孟昊奭，李相勳，金京勳，朴根佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]