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本发明提供了一种光刻方法及半导体器件。根据本发明的光刻方法包括：第一光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第一光致抗蚀剂层；第二光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第二光致抗蚀剂层；以及曝光步骤，用于利用掩膜对涂覆了第一光致抗...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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