【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能电池保护边框
，尤其是一种防止电池片过刻的硅片保护结构。
技术介绍
太阳能电池选择性发射极的原理是在重扩散的发射极面印刷一层电极图形的蜡层，再通过刻蚀在非图形区形成浅扩散区，在其表面构建满足电池表面不同区域对应不同电阻的需求。SE刻蚀工艺流程背面抛光一正面浅方阻刻蚀一去蜡一去磷硅玻璃一烘干。背面 抛光是采用高浓度的hf+hno3混合液通过滚轮带液仅对硅片背面进行抛光，由于溶液浓度过高，且挥发性极强，重扩后的硅片具有亲水性，会在硅片边缘部位造成过刻现象，这个问题在后续的正面刻蚀过程中会加剧，严重影响硅片表面方阻的均匀性，甚至造成电池片的失效。目前业内的太阳能保护边框保护技术为水膜保护，在Schmid湿法刻蚀机上料前用水喷淋硅片，在硅片表面形成一层水膜，刻蚀时利用水稀释药液，以达到保护的目的。该技术对机台滚轮水平度需要较为严格，要防止水漏到刻蚀槽改变药液浓度，并且，由于硅片表面打蜡保护后具有憎水性，水膜覆盖并不均匀，保护度不够。SE生产线机台硬件原因，会在湿法刻蚀时刻蚀液会上翻到硅片上表面产生刻边异常，镀膜后外观上产生异常的白色边缘。
技术实现思路
本...
【技术保护点】
一种防止电池片过刻的硅片保护结构，其特征在于：所述的防止电池片过刻的硅片保护结构为在栅线之外沿硅片四周多加印的一圈石蜡边框或者在栅线四周增宽的固化油墨掩膜打印图形边框。
【技术特征摘要】
1.一种防止电池片过刻的硅片保护结构，其特征在于所述的防止电池片过刻的硅片保护结构为在栅线之外沿硅片四周多加印的一圈石蜡边框或者在栅线四周增宽的固化油墨掩膜打印图形边框。2.根据权利要求I所述的防止电池片过刻的硅片保护结构，其特征在于所述的石...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，李艳，何美玲，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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