快速获取硅片光致发光影像的Si-CCD照相机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种快速获取硅片光致发光影像的Si-CCD照相机，通过帕尔帖制冷元件将Si-CCD感光器件降温到至少低于-20摄氏度，降低其本底噪声的强度，从而缩短了最短有效曝光时间，同时根据Si-CCD的每个像素点亮度和曝光时间的线性关系，可以从一个时间段的电荷累积量推算出更长时间段的电荷累积量，达到快速获取光致发光影像的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种快速获取硅片光致发光影像的Si?CCD照相机，其特征在于，包括：?Si?CCD感光器件，用以拍摄光致发光影像；?电子线路板，电性连接所述Si?CCD感光器件，用以向所述Si?CCD感光器件提供电源，驱动，数模转换及接口电路；?帕尔帖制冷元件，设置在所述Si?CCD感光器件和电子线路板下侧，用以将所述Si?CCD感光器件的温度降低到至少低于?20摄氏度；?导热的真空密封模块，用以导热和散热，所述导热的真空密封模块的内部真空，所述Si?CCD感光器件、所述电子线路板以及所述帕尔帖制冷元件设置在所述导热的真空密封模块的内部，光线可透过所述导热的真空密封模块照射在所述Si?CCD感光器件上；?散热片，设置在所述导热的真空密封模块外侧，用以散发所述帕尔帖制冷元件在制冷过程中所产生的热量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇昶，
申请(专利权)人：维信科技新加坡有限公司，
类型：实用新型
国别省市：