一种硅片激光打标后的清洗工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种硅片激光打标后的清洗工艺，其包括如下步骤：a、将激光打标后的硅片放置在所由HF溶液和水混合形成酸溶液中清洗；b、用去离子水对酸洗后的硅片进行循环冲洗；c、将硅片放入由NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O组成的混合溶液清洗，硅片在所述混合溶液中清洗4～6分钟；d、用去离子水对上述酸混合溶液清洗后的硅片进行混合冲洗；e、将硅片再次放入酸溶液中清洗，硅片在所述酸溶液清洗0.5～1分钟；f、将上述再次酸洗后的硅片用去离子水溢流4～6分钟，然后使用去离子水循环冲洗；g、将硅片再次放入由NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O组成的混合溶液，清洗4～6分钟；h、将硅片用去离子水循环冲洗。本发明专利技术工艺步骤简单，适用性广，操作方便，降低了清洗成本，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种清洗工艺，尤其是一种硅片激光打标后的清洗工艺，属于半导体 加工的

技术介绍
纵观现今代工线的发展，代工电路结构越来越复杂，应用越来越广泛，电路品种越 来越多。为防止在线圆片混淆的情况，提高圆片的识别性，越来越多的加工线都采用硅片激 光打标机对圆片进行激光打标来识别，但由于激光打标后，硅片表面上直径大于0. 2 μ m的 颗粒会达到几千至上万个，进而提出了激光打标后清洗技术的需求。硅片激光打标后采用 的传统处理方法为硅片擦片机及传统湿法清洗方法组合使用，该方法必须先期进行硅片擦 片机的机台投入，从而产生如设备资金投入、超净化间设备空间占用、设备备件维护及持续 消耗等等问题，这对很多小型加工线来说，是无法承受的，进而提出了在无硅片擦片机辅助 的前提下，来完成硅片激光打标后清洗要求的技术途径需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种硅片激光打标后的清洗工 艺，其工艺步骤简单，适用性广，操作方便，降低了清洗成本，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述硅片激光打标后的清洗工艺包括如下步骤a、将激光打标后的硅片放置在酸溶液中清洗，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅片激光打标后的清洗工艺，其特征是，所述清洗工艺包括如下步骤：（ａ）、将激光打标后的硅片放置在酸溶液中清洗，所述酸溶液由ＨＦ溶液和Ｈ２Ｏ混合形成；所述ＨＦ和Ｈ２Ｏ间的体积关系为：ＨＦ∶Ｈ２Ｏ＝１∶２０～３０，酸溶液的温度为２１℃～２２℃；所述ＨＦ溶液的浓度为５０％～５５％，硅片在所述酸溶液清洗２～３分钟；（ｂ）、用去离子水对上述酸洗后的硅片进行循环冲洗；（ｃ）、将硅片放入混合溶液中清洗，所述混合溶液由ＮＨ４ＯＨ溶液、Ｈ２Ｏ２溶液和Ｈ２Ｏ组成，所述ＮＨ４ＯＨ溶液、Ｈ２Ｏ２溶液和Ｈ２Ｏ间的体积关系为：ＮＨ４ＯＨ∶Ｈ２Ｏ２∶Ｈ２Ｏ＝１∶２∶１２～１５；ＮＨ４ＯＨ溶液的浓度为２８％～３０％，Ｈ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪根深，高向东，郭晶磊，陶军，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32