一种深沟道隔离槽的制备方法技术

本发明专利技术针对MEMS技术中机械连接但是电绝缘的需求，公开了一种深沟道隔离槽的制备方法。该方法步骤：抛光硅片；光刻；DRIE形成深沟槽2，所述深沟槽2为等腰倒梯形，槽侧壁与竖直方向夹角θ满足1°≤θ≤5°；氧清洗；在深沟槽2侧壁表面和硅片表面生成二氧化硅绝缘层3；填充多晶硅层4。本发明专利技术的有益效果是：直接用DRIE将硅片刻蚀成倒梯形的深沟道隔离槽，避免了各向同性刻蚀中Notching现象，能够保证深沟槽底部可以填满。由于深沟槽的形状为倒梯形，开口处依然比槽中间部分大，在沉积多晶硅的过程中也不会出现开口处堵住因而造成缝隙的情况。因为倾斜槽侧壁与竖直方向夹角较小，所以不影响隔离槽的绝缘特性和机械强度，能够满足封装气密性以及绝缘要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种深沟道隔离槽的制备方法，包括如下步骤：步骤１：单面抛光硅片（１），去除硅片（１）表面的原生氧化层；步骤２：光刻，形成图形化窗口；步骤３：ＤＲＩＥ，形成深沟槽（２），所述深沟槽（２）为等腰倒梯形，槽侧壁与竖直方向夹角θ满足１°≤θ≤５°；步骤４：氧清洗，去除深沟槽（２）侧壁表面钝化层和硅片表面的光刻胶；步骤５：氧化，在深沟槽（２）侧壁表面和硅片表面生成二氧化硅绝缘层（３）；步骤６：在深沟槽（２）内填充多晶硅层（４）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓莹，李光涛，乔大勇，任森，张艳飞，康宝鹏，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：87