【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子制造领域，尤其涉及一种用于步进重复曝光光刻机提高工艺套准精度的光刻曝光方法。
技术介绍
光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的IC (集成电路)随后到LSI (大规模集成电路)、VLSI (超大规模集成电路)，直至今天的ULSI (特大规模集成电路)，器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚硅片上尽可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者，制造商的重视。 在半导体制造中，掩模板充当着载体的角色，正是依靠它，光刻能够在硅片上实现设计者的思路，让半导体实现各种功能。随着光刻技术不断向更为细小的技术节点迈进，掩模板的价格也不断激增。若无法满足技术的需求，产品的合格率无法保证，随之而来的就是先期投入的浪费、错过市场黄金需求期，商业的巨大损失。步进式重复曝光光...
【技术保护点】
一种可提高工艺套准精度的曝光方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：首先使用第一曝光图形对硅片光刻曝光，再用第二曝光图形对硅片光刻曝光，使得硅片表面形成相间隔分布的图案单元，所述第一曝光图案和第二曝光图案制在同一掩模板上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱骏，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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