流体处理结构、光刻设备和器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于光刻设备的流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构在配置用于将浸没流体限制在流体处理结构之外的区域的空间的边界处具有：弯液面钉扎特征，用以抵抗浸没流体沿径向向外方向离开所述空间；线性阵列形式的多个气体供给开口，其至少部分地围绕弯液面钉扎特征并且在弯液面钉扎特征的径向向外位置处；和气体回收开口，其在线性阵列形式的所述多个气体供给开口的径向向外位置处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种流体处理结构、光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多 个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水)中，以便充满投影系统的最终元件和衬底之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构在配置用于将浸没流体限制在流体处理结构之外的区域的空间的边界处具有：弯液面钉扎特征，用以抵抗浸没流体沿径向向外的方向离开所述空间；线性阵列形式的多个气体供给开口，其至少部分地围绕弯液面钉扎特征并且在弯液面钉扎特征的径向向外位置处；和至少一个气体回收开口，其在线性阵列形式的所述多个气体供给开口的径向向外位置处。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R·H·M·考蒂，M·瑞鹏，C·M·诺普斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：