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一种可提高工艺套准精度的曝光方法，包括以下顺序步骤：首先使用第一曝光图形对硅片光刻曝光，再用第二曝光图形对硅片光刻曝光，使得硅片表面形成相间隔分布的图案单元，所述第一曝光图案和第二曝光图案制在同一掩模板上。本发明提供的方法能解决步进式重复曝...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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