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本发明公开了用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶膜成像方法、多相高硅光刻胶及应用，为能使含有聚硅氧烷和聚硅倍氧半烷高硅光刻胶膜膜曝光成像的方法，达到双相、正相或负相成像方式。在双相成像时，光敏酸使辐射区发生交联，催化剂使没有辐射的区域发生交联，介...
该专利属于潍坊星泰克微电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过潍坊星泰克微电子材料有限公司授权不得商用。

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