厚膜光刻胶的显影方法技术

本发明专利技术提供了一种厚膜光刻胶的显影方法，涉及微电子半导体技术领域。所述显影方法包括：透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置20～30min，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案。本发明专利技术在长期生产实践中研究发现，10微米以上的厚膜光刻胶经过旋涂，烘烤，曝光后直接显影会存在显影速度慢的问题，而且陡直度也比较差，直接影响了后面的腐蚀工艺；而本申请的显影方法通过在厚膜光刻胶基片曝光后设置“静置20～30min”的步骤，发现放置后厚膜光刻胶的显影速度更快，而且陡直度高。以10微米的膜厚为例，经检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。

【技术实现步骤摘要】
厚膜光刻胶的显影方法


[0001]本专利技术涉及微电子半导体
，尤其是涉及一种厚膜光刻胶的显影方法。

技术介绍

[0002]目前，厚膜正性酚醛体系光刻胶主要应用于先进封装，MEMS等领域。所述厚膜正性酚醛体系光刻胶显像的机理是：酚醛树脂和光敏剂PAC混合后，曝光区域光敏剂成酸促进酚醛树脂的溶解，未曝光区域光敏剂抑制酚醛树脂的溶解，进而形成图形。其具体显像原理如图1所示。
[0003]图1为现有技术中正性酚醛体系光刻胶显像原理图。
[0004]然而，在实际生产过程中发现，10微米以上的厚膜正性酚醛体系光刻胶经过旋涂，烘烤，曝光后直接显影会存在显影速度慢的问题，而且得到的图形陡直度也比较差，直接影响了后面的腐蚀工艺。同时，坡度大的图形湿法腐蚀侧腐严重，干法腐蚀选择比低。
[0005]因此，研究开发出一种具有显影速度快、图形陡直度高效果的，可适用于10微米厚度以上的厚膜正性酚醛体系光刻胶的显影方法，变得十分必要和迫切。
[0006]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，所述显影方法包括以下步骤：透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案；所述静置的时间为20～30min。2.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，所述厚膜光刻胶的厚度为10～30μm。3.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，所述厚膜光刻胶为正性酚醛体系光刻胶；优选地，所述厚膜光刻胶主要由酚醛树脂、光敏剂和溶剂混匀得到的光刻胶溶液，经膜过滤制得。4.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，按质量份数计，所述厚膜光刻胶包括：酚醛树脂33～36份、光敏剂4～7份、溶剂60～62份；优选地，所述光敏剂为重氮萘醌类化合物；优选地，所述溶剂包括丙二醇单甲醚醋酸酯和/或聚甲基丙烯酸缩水甘油酯...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙逊运，谢桂兰，吕顺，宋建林，邢子涛，张天龙，屈财旺，王硕阳，庄兆森，
申请(专利权)人：潍坊星泰克微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：