厚膜光刻胶的显影方法技术

本发明专利技术提供了一种厚膜光刻胶的显影方法，涉及微电子半导体技术领域。所述显影方法包括：透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置20～30min，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案。本发明专利技术在长期生产实践中研究发现，10微米以上的厚膜光刻胶经过旋涂，烘烤，曝光后直接显影会存在显影速度慢的问题，而且陡直度也比较差，直接影响了后面的腐蚀工艺；而本申请的显影方法通过在厚膜光刻胶基片曝光后设置“静置20～30min”的步骤，发现放置后厚膜光刻胶的显影速度更快，而且陡直度高。以10微米的膜厚为例，经检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。

【技术实现步骤摘要】
厚膜光刻胶的显影方法


[0001]本专利技术涉及微电子半导体
，尤其是涉及一种厚膜光刻胶的显影方法。

技术介绍

[0002]目前，厚膜正性酚醛体系光刻胶主要应用于先进封装，MEMS等领域。所述厚膜正性酚醛体系光刻胶显像的机理是：酚醛树脂和光敏剂PAC混合后，曝光区域光敏剂成酸促进酚醛树脂的溶解，未曝光区域光敏剂抑制酚醛树脂的溶解，进而形成图形。其具体显像原理如图1所示。
[0003]图1为现有技术中正性酚醛体系光刻胶显像原理图。
[0004]然而，在实际生产过程中发现，10微米以上的厚膜正性酚醛体系光刻胶经过旋涂，烘烤，曝光后直接显影会存在显影速度慢的问题，而且得到的图形陡直度也比较差，直接影响了后面的腐蚀工艺。同时，坡度大的图形湿法腐蚀侧腐严重，干法腐蚀选择比低。
[0005]因此，研究开发出一种具有显影速度快、图形陡直度高效果的，可适用于10微米厚度以上的厚膜正性酚醛体系光刻胶的显影方法，变得十分必要和迫切。
[0006]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术的第一目的在于提供一种厚膜光刻胶的显影方法，所述显影方法得到的厚膜光刻胶显影图形具有显影速度快，而且陡直度高的优势。
[0008]为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：
[0009]本专利技术提供的一种厚膜光刻胶的显影方法，所述显影方法包括以下步骤：
[0010]透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案；
[0011]所述静置的时间为20～30min。
[0012]进一步的，所述厚膜光刻胶的厚度为10～30μm。
[0013]进一步的，所述厚膜光刻胶为正性酚醛体系光刻胶；
[0014]优选地，所述厚膜光刻胶主要由酚醛树脂、光敏剂和溶剂混匀得到的光刻胶溶液，经膜过滤制得。
[0015]进一步的，按质量份数计，所述厚膜光刻胶包括：酚醛树脂33～36份、光敏剂4～7份、溶剂60～62份；
[0016]优选地，所述光敏剂为重氮萘醌类化合物；
[0017]优选地，所述溶剂包括丙二醇单甲醚醋酸酯和/或聚甲基丙烯酸缩水甘油酯。
[0018]进一步的，所述膜过滤的孔径为0.01～0.2微米，优选为0.05微米。
[0019]进一步的，所述曝光为i线365nm曝光。
[0020]进一步的，所述对静置后的基片进行显影的方法为浸泡显影；
[0021]优选地，所述浸泡显影包括以下步骤：将静置后的基片浸泡于显影液中80～100s。
[0022]进一步的，所述显影液为2.38wt％四甲基氢氧化铵显影液。
[0023]进一步的，所述清洗为去离子水清洗。
[0024]进一步的，所述烘坚的温度为80～100℃，时间为30～60s；
[0025]优选地，所述烘坚的温度为90℃，时间为30s。
[0026]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0027]本专利技术提供的厚膜光刻胶的显影方法，所述显影方法为透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置20～30min，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案。本专利技术在长期生产实践中研究发现，10微米以上的厚膜经过旋涂，烘烤，曝光后直接显影就会存在显影速度慢的问题，而且陡直度也比较差，直接影响了后面的腐蚀工艺；而本申请的显影方法通过在厚膜光刻胶基片曝光后设置“静置20～30min”的步骤，研究发现放置后厚膜光刻胶的显影速度更快，而且陡直度高。以10微米的膜厚为例，经检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为现有技术中正性酚醛体系光刻胶显像原理图；
[0030]图2为本专利技术实施例1提供的厚膜正性酚醛体系光刻胶显影得到的图形的剖面图；
[0031]图3为本专利技术对比例1提供的厚膜正性酚醛体系光刻胶显影得到的图形的剖面图。
具体实施方式
[0032]下面将结合实施例对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]根据本专利技术的一个方面，一种厚膜光刻胶的显影方法，所述显影方法包括以下步骤：
[0034]透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案；
[0035]所述静置的时间为20～30min。
[0036]本专利技术提供的厚膜光刻胶的显影方法，所述显影方法为透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置20～30min，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案。本专利技术在长期生产实践中研究发现，10微米以上的厚膜经过旋涂，烘烤，曝光后直接显影就会存在显影速度慢的问题，而且陡直度也比较差(参见图3)，直接影响了后面的腐蚀工艺；而本申请的显影方法通过在厚膜光刻胶基片曝光后设置“静置20～30min”的步骤，研究发现放置后厚膜光刻胶的显影速度更快，而且陡直度高。以10微米的膜厚为例，经检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。
[0037]在本专利技术的一种优选实施方式中，所述厚膜光刻胶的厚度为10～30μm。
[0038]在本专利技术的一种优选实施方式中，所述厚膜光刻胶为正性酚醛体系光刻胶；
[0039]在本专利技术的一种优选实施方式中，所述厚膜光刻胶主要由酚醛树脂、光敏剂和溶剂混匀得到的光刻胶溶液，经膜过滤制得。
[0040]在本专利技术的一种优选实施方式中，按质量份数计，所述厚膜光刻胶包括：酚醛树脂33～36份、光敏剂4～7份、溶剂60～62份；
[0041]作为一种优选的实施方式，上述厚膜光刻胶原料组成和配比后的曝光能量能够满足产线工艺要求。
[0042]在上述优选实施方式中，所述光敏剂为重氮萘醌类化合物；
[0043]在上述优选实施方式中，所述溶剂包括丙二醇甲醚醋酸酯和/或聚甲基丙烯酸缩水甘油酯。
[0044]在本专利技术的一种优选实施方式中，所述膜过滤的孔径为0.01～0.2微米，优选为0.05微米。
[0045]作为一种优选的实施方式，上述膜过滤的孔径能够充分保证产品中的颗粒数值限制更加严格。
[0046]在本专利技术的一种优选实施方式中，所述曝光为i线365nm曝光。
[0047]在本专利技术的一种优选实施方式中，所述对静置后的基片进行显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，所述显影方法包括以下步骤：透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案；所述静置的时间为20～30min。2.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，所述厚膜光刻胶的厚度为10～30μm。3.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，所述厚膜光刻胶为正性酚醛体系光刻胶；优选地，所述厚膜光刻胶主要由酚醛树脂、光敏剂和溶剂混匀得到的光刻胶溶液，经膜过滤制得。4.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶的显影方法，其特征在于，按质量份数计，所述厚膜光刻胶包括：酚醛树脂33～36份、光敏剂4～7份、溶剂60～62份；优选地，所述光敏剂为重氮萘醌类化合物；优选地，所述溶剂包括丙二醇单甲醚醋酸酯和/或聚甲基丙烯酸缩水甘油酯...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙逊运，谢桂兰，吕顺，宋建林，邢子涛，张天龙，屈财旺，王硕阳，庄兆森，
申请(专利权)人：潍坊星泰克微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：