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本发明提供了一种厚膜光刻胶的显影方法，涉及微电子半导体技术领域。所述显影方法包括：透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置20～30min，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案。本发明在长期生产实践中研究发...
该专利属于潍坊星泰克微电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过潍坊星泰克微电子材料有限公司授权不得商用。

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