【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件,尤其涉及以PCB作为封装基板的闪存 flash集成电路。
技术介绍
现有技术的闪存(Flash)封装集成电路,一般采用TSOP (Thin Small Outline lockage,薄型小尺寸封装)或BGA (Ball Grid Array,球形引脚格栅阵列)封装结 构,所述两种封装结构均须先制铜制裁的导线框架,闪存晶片置于该导线框架中部的铜制 基板上,用金属导线将该晶片的电联接点与所述导线框架上引脚一一对应焊接,再用封 装材料、如环氧树脂组合封装料模制密封,之后还须对该封装的集成电路引脚进行电镀处 理。这种封装结构的主要缺陷是1.所述导线框架的制作需要专用设备,且制作周期长,成本高,特别是在所述集成 电路新产品试制阶段或是中小批量生产时,这种长周期、高成本的问题尤为突出。2.集成电路封装成形后,还须对其引脚进行电镀处理,需要专用设备,投资大,且 不利于环保。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处 而设计生产一种采用PCB为基板闪存集成电路,解决现有技术中制作周期长、成本高和不 环保等问题。本技术为解决上述技术问题而提出的技术方案是,设计、制造一种以PCB为 封装基板的闪存集成电路,包括基板和置于其上的闪存晶片;所述基板单层双面PCB板,其 上表面有与闪存晶片的电连接点一一对应的焊盘;所述焊盘与位于基板下表面的各引脚 ——对应地电连接。所述闪存晶片置于该基板的上表面,以金属导线将其电连接点与所述各焊盘一一 对应地焊接,再用封装材料将基板上表面封装成形。所述各引脚是类似TSOP结构的扁平引脚,位于所述下表面的外 ...
【技术保护点】
1.一种以PCB为封装基板的闪存集成电路,包括基板(2)和置于其上的闪存晶片(1);其特征在于:所述基板(2)是单层双面PCB板,其上表面(21)有与闪存晶片(1)的电连接点(11)一一对应的焊盘(211);所述焊盘(211)与位于基板(2)下表面(22)的各引脚(221)一一对应地电连接;所述闪存晶片(1)置于该基板(2)的上表面(21),以金属导线(4)将其电连接点(11)与所述各焊盘(211)一一对应地焊接,再用封装材料(3)将基板(1)上表面(21)封装成形。
【技术特征摘要】
1.一种以PCB为封装基板的闪存集成电路,包括基板(2)和置于其上的闪存晶片(1); 其特征在于所述基板(2)是单层双面PCB板,其上表面(21)有与闪存晶片(1)的电连接点(11) 一一对应的焊盘(211);所述焊盘(211)与位于基板(2)下表面(22)的各引脚(221)—一对 应地电连接;所述闪存晶片(1)置于该基板(2)的上表面(21),以金属导线(4)将其电连接点(11) 与所述各焊盘(211) —一对应地焊接,再用封装材料(3 )将基板(1)上表面(21)封装成形。2.按照权利要求1所述的以PCB为封装基板的闪存集成电路,其特征在于所述各引脚(221)是类似TSOP结构的扁平引脚(2211),位于所述下表面(22)的外沿 边处。3.按照权利要求1所述的以PCB板为封装基板的闪存集成电路,其特征在于所述引脚(221)是类似BAG封装的球形引脚(2212),且格栅阵列分布在下表面(22)中部。4.按照...
【专利技术属性】
技术研发人员:王树锋,刘纪文,
申请(专利权)人:深圳市晶凯电子技术有限公司,
类型:实用新型
国别省市:94
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