一种集成NANDFLASH闪存功能的EMMC存储器，包括单层双面的PCB基板（2）以及基于其上的NANDFLASH闪存晶片（1）和EMMC控制晶片（4），所述NANDFLASH闪存晶片（1）和EMMC控制晶片（4）容置于环氧树脂材质的封装壳（3）内；所述基板（2）下表面分布着球形EMMC焊接脚（240）和球形闪存焊接脚（210）；所述各球形EMMC焊接脚（240）一一对应地与所述各闪存晶片焊盘（21）和控制晶片焊盘（24）电连接；所述各球形闪存焊接脚（210）与所述各闪存晶片焊盘（21）一一对应地电连接。本实用新型专利技术的有益效果是:所述的EMMC存储既能有EMMC存储器功能也有NANDFLASH闪存功能，扩大了该器件的应用范围。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
集成NAND FLASH闪存功能的EMMC存储器
本技术涉及半导体器件，尤其涉及集成NAND FLASH闪存功能的EMMC存储器。
技术介绍
现有技术内嵌式存储器EMMC (Embedded Multimedia Card)是珠状阵列BGA (Ball Grid Array)封闭器件。所述EMMC存储器包括单层双面板PCB以及绑定于其上的闪存晶片和控制芯片，即采有用金属导线将晶片和控制晶片上的各电连接点与位于PCB上表面的闪存晶片焊盘和控制晶片焊盘一一对应地焊接，再用环氧树脂封装料模制密封为封装壳；在？08下表面分布有符合EMMC标准的焊盘上置入锡球，形成球形的焊接脚，继而生产出符合EMMC标准的存储器。现有技术EMMC存储器的功能单一，因其主要应用于高端产品，因此该类存储器的测试严格、成品率低，应用范围窄，不能通过EMMC标准测试的此类EMMC存储器只能报废、利用率低，成本高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而设计生产一种集成NAND FLASH闪存功能的EMMC存储器，解决EMMC存储器的功能单一，应用范围窄等问题。本技术为解决上述技术问题而提出的技术方案是，一种集成NAND FLASH闪存功能的EMMC存储器，包括单层双面的PCB基板以及基于其上的NAND FLASH闪存晶片和EMMC控制晶片，所述NAND FLASH闪存晶片和EMMC控制晶片容置于环氧树脂材质的封装壳内；所述NAND FLASH闪存晶片和EMMC控制晶片分别通过金属导线与基板上表面的闪存晶片焊和控制晶片焊盘一一对应地焊接；特别是，所述基板下表面分布着置入锡球的EMMC焊接脚和闪存焊接脚；所述各球形EMMC焊接脚一一对应地与所述各闪存晶片焊盘和控制晶片焊盘电连接；所述各闪存焊接脚与所述各闪存晶片焊盘一一对应地电连接。所述各EMMC焊接脚和闪存焊接脚是分块排布或交错排布的。同现有技术相比，本技术的有益效果是:本专利技术的EMMC存储既能有EMMC存储器功能也有NAND FLASH闪存功能，扩大了该器件的应用范围；特别是能有效利用不符合EMMC标准的此类存储器NAND FLASH闪存功能，使得物尽其用，变废为宝，有效降低了成本。附图说明 图1是本技术集成NAND FLASH闪存功能的EMMC存储器之优选实施例中所述EMMC存储器的主视剖视图；图2是所述优选实施例中所述EMMC存储器被封装前的俯视示意图；图3是所述优选实施例中所述EMMC存储器的仰视示意图，其中置入锡球的EMMC焊接脚240和闪存焊接脚210是分块排布；图4是所述优选实施例中所述EMMC存储器的仰视示意图，其中置入锡球的EMMC焊接脚240和闪存焊接脚210是交错块排布。具体实施方式下面，结合附图所示之优选实施例进一步阐述本技术。参见图1至4，本技术之优选实施例是，一种集成NAND FLASH闪存功能的EMMC存储器，包括单层双面的PCB基板2以及基于其上的NAND FLASH闪存晶片I和EMMC控制晶片4，所述NAND FLASH闪存晶片I和EMMC控制晶片3容置于环氧树脂材质的封装壳3内；所述NAND FLASH闪存晶片I和EMMC控制晶片4分别通过金属导线5与基板2上表面的闪存晶片焊盘21和控制晶片焊盘24 —一对应地焊接；所述基板2下表面分布着置入锡球的EMMC焊接脚240和闪存焊接脚210 ;所述各EMMC焊接脚240 —一对应地与所述各闪存晶片焊盘21和控制晶片焊盘24电连接，即而令各EMMC焊接脚240与所述NAND FLASH闪存晶片I和EMMC控制晶片4电联接；所述各闪存焊接脚210与所述各闪存晶片焊盘21对应地电连接，也即使各闪存焊接脚210与闪存晶片2电连接，使得该EMMC存储器既能有EMMC存储器功能也有NAND FLASH闪存功能，使用者可按需选择使用。同时，对那些不符合EMMC标准的EMMC存储器直接作为NAND FLASH闪存IC使用，提高利用率，降低成本。根据使用的需要，所述各EMMC焊接脚240和闪存焊接脚210是分块排布或交错排布的，如图3所示，闪存焊接脚210是按图中虚线A所示集中按块分布；也可以如图4所示，所述闪存焊接脚210与所述各EMMC焊接脚240交错排布。上述过程为本技术优选实现过程，本领域的技术人员在本技术基本上进行的通常变化和替代包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种集成NAND FLASH闪存功能的EMMC存储器，包括单层双面的PCB基板(2)以及基于其上的NAND FLASH闪存晶片(I)和EMMC控制晶片(4 )，所述NAND FLASH闪存晶片(I)和EMMC控制晶片(4)容置于环氧树脂材质的封装壳(3)内；所述NAND FLASH闪存晶片(I)和EMMC控制晶片(4)分别通过金属导线(5)与基板(2)上表面的闪存晶片焊盘(21)和控制晶片焊盘(24) —一对应地焊接；其特征在于:所述基板(2)下表面分布着置入锡珠的EMMC焊接脚(240)和闪存焊接脚(210);所述各EMMC焊接脚(240) —一对应地与所述各闪存晶片焊盘(21)和控制晶片焊盘(24)电连接；所述各闪存焊接脚(210)与所述各闪存晶片焊盘(21)——对应地电连接。2.按照权利要求1所述的集成NANDFLASH闪存功能的EMMC存储器，其特征在于: 所述各EMMC焊接脚 (240 )和闪存焊接脚(210 )是分块排布或交错排布的。专利摘要一种集成NANDFLASH闪存功能的EMMC存储器，包括单层双面的PCB基板(2)以及基于其上的NANDFLASH闪存晶片(1)和EMMC控制晶片(4)，所述NANDFLASH闪存晶片(1)和EMMC控制晶片(4)容置于环氧树脂材质的封装壳(3)内；所述基板(2)下表面分布着球形EMMC焊接脚(240)和球形闪存焊接脚(210)；所述各球形EMMC焊接脚(240)一一对应地与所述各闪存晶片焊盘(21)和控制晶片焊盘(24)电连接；所述各球形闪存焊接脚(210)与所述各闪存晶片焊盘(21)一一对应地电连接。本技术的有益效果是:所述的EMMC存储既能有EMMC存储器功能也有NANDFLASH闪存功能，扩大了该器件的应用范围。文档编号H01L25/065GK203038913SQ201220722299公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月25日 优先权日2012年12月25日专利技术者王树锋, 刘纪文 申请人:深圳市晶凯电子技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成NAND?FLASH闪存功能的EMMC存储器，包括单层双面的PCB基板（2）以及基于其上的NAND?FLASH闪存晶片（1）和EMMC控制晶片（4），所述NAND?FLASH闪存晶片（1）和EMMC控制晶片（4）容置于环氧树脂材质的封装壳（3）内；所述NAND?FLASH闪存晶片（1）和EMMC控制晶片（4）分别通过金属导线（5）与基板（2）上表面的闪存晶片焊盘（21）和控制晶片焊盘（24）一一对应地焊接；其特征在于：所述基板（2）下表面分布着置入锡珠的EMMC焊接脚（240）和闪存焊接脚（210）；所述各EMMC焊接脚（240）一一对应地与所述各闪存晶片焊盘（21）和控制晶片焊盘（24）电连接；所述各闪存焊接脚（210）与所述各闪存晶片焊盘（21）一一对应地电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王树锋，刘纪文，
申请(专利权)人：深圳市晶凯电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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