基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件制造技术

一种基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件，包括单层双面的PCB基板（2）以及基于其上的NANDFLASH闪存晶片（1），还有位于PCB基板（2）上的存储控制晶片（4）；NANDFLASH闪存晶片（1）和存储控制晶片（4）的各电连接点分别通过金属导线（5）与基板（2）上表面的闪存晶片焊盘（21）和存储控制焊盘（24）一一对应地焊接；基板（2）下表面分布有闪存焊盘（210）和SD-USB引脚焊盘（240）；各闪存焊盘（210）与各闪存晶片焊盘（21）电连接；SD-USB引脚焊盘（240）与存储控制焊盘（24）电连接。本实用新型专利技术的有益效果是:令存储器件不仅具备flash存储特性，还具有符SD、USB标准的存储特性，可SMT贴装，简化了生产工艺。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件
本技术涉及半导体器件，尤其涉及基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件。
技术介绍
现有技术触点阵列LGA (land grid array)封装存储器件7，参见图8，包括单层双面板PCB 72以及基于其上的闪存晶片71，用金属导线74将闪存晶片71上的各电连接点与位于PCB上表面的各焊盘一一对应地焊接，再用环氧树脂封装料模制密封为封装壳73，由PCB下表面分布着阵列状电极触点的LGA标准的焊盘以符合FLASH功能要求。此种LGA封装存储器件7只能实现单一的闪存FLASH功能。参见图9和图10，现有技术安全数码卡8，即SD卡(Secure Digital MemoryCard),以及符合USB标准(包括USB2.0和USB3.0标准)封装存储器9参见图10，所述SD卡8和USB标准封装存储器9的外形为卡片状，构成该各存储器的元器件容置在卡片内，卡片外有附着有符合SD或USB相应要求金属引脚81、91，这种结构形式的存储器必须配合与之相适配的专用卡座，才能进行的数据的读写。此类结构存储器不能用于SMT贴装，从而限定了其使用范围。同时由于此类存储器的尺寸规格是有限制的，因此该各存储器的容量是有限的。如果将这些存储器件用于移动互联网设备MID ( Mobile Internet Device)或固态硬盘SSD (Solid State Disk)等产品时，必须配置相应的卡座，而不能采用表面贴装技术SMT (Surface Mounted Technology)进行贴装,既增加了生产成本和工艺的复杂性,而且存储器件的容量也受到限制。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而之处提出一种基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装式存储器件，解决现有技术LGA存储器件功能单一，SD等封装存储器件容量有限及不能SMT贴装等问题。本技术为解决上述技术问题而提出的技术方案是，一种基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件，包括单层双面的PCB基板以及基于其上的NAND FLASH闪存晶片，还包括位于所述PCB基板上的存储控制晶片；所述NAND FLASH闪存晶片和存储控制晶片的各电连接点分别通过金属导线与基板上表面的闪存晶片焊盘和存储控制焊盘一一对应地焊接；所述基板下表面分布有闪存焊盘和SD-USB引脚焊盘；各所述闪存焊盘与各所述闪存晶片焊盘电连接；所述SD-USB引脚焊盘与所述存储控制焊盘电连接。所述存储控制晶片是SD存储控制晶片时，则所述基板下表面的SD-USB引脚焊盘为至少9个。所述存储控制晶片是US2.0存储控制晶片时，则所述基板下表面的SD-USB引脚焊盘至少为4个。所述存储控制晶片是SD存储控制晶片时，所述基板下表面的SD-USB引脚焊盘为5个。以上所述闪存焊盘和SD-USB引脚焊盘是分块排布或交错排布的。同现有技术相比，本技术的有益效果是:使LGA封装存储器件不仅具备flash存储特性、还具有符SD、USB2.0或USB3.0标准的存储特性；可以应用于MID、SSD等产品，以取代传统SD或USB封装存储器件加专用卡座的组合，减小了产品的体积，并可增大了产品的存储容量，可进行SMT贴装工艺，简化了生产工艺，有效降低了成本。附图说明 图1是基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件之优选实施例中所述的LGA封装存储器件的正投影主视剖视图；图2是所述优选实施例中所述的LGA封装存储器件的未被封装前的正投影俯视示意图；图3是所述优选实施例中所述的LGA封装存储器件其底部向上的轴测投影示意图；图4是所述优选实施例中所述LGA封装存储器件的正投影仰视示意图，图中A区为所述LGA封装存储器件作为USB2.0标准存储器件时，所对应的SD/USB2.0/USB3.0焊盘240 ；图5是所述优选实施例中所述LGA封装存储器件的正投影仰视示意图，图中B区为所述LGA封装存储器件作为USB3.0标准的存储器件时，所对应的SD/USB2.0/USB3.0焊盘 240 ；图6是所述优选实施例中所述LGA封装存储器件的正投影仰视示意图，图中C区为所述LGA封装存储器件作为SD存储器件时，所对应的SD/USB2.0/USB3.0焊盘240 ；图7是所述优选实施例中所述LGA封装存储器件的正投影仰视示意图，图中D部为所述LGA封装存储器件作为FLASH存储器件时，所对应的闪存焊盘210 ；图8是现有技术触点阵列LGA封装存储器件7的正投影主视剖视示意图；图9是现有技术SD卡8的正投影王视不意图；图10是现有技术USB3.0标准封装存储器9的轴测投影示意图。具体实施方式下面，结合附图所示之优选实施例进一步阐述本技术。参见图1至4，本技术之优选实施例是，一种基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件，包括单层双面的PCB基板2以及基于其上的NAND FLASH闪存晶片1，还包括位于所述PCB基板2上的存储控制晶片4 ;所述NAND FLASH闪存晶片I和存储控制晶片4的各电连接点分别通过金属导线5与基板2上表面的闪存晶片焊盘21和存储控制焊盘24 —一对应地焊接；所述基板2下表面分布有闪存焊盘210和SD-USB引脚焊盘240 ;各所述闪存焊盘210与各所述闪存晶片焊盘21电连接；所述SD-USB引脚焊盘240与所述存储控制焊盘24电连接。通过存储控制晶片4，令所述LGA封装存储器不仅能做为普通FLASH存储器件，还可以做基于SD标准备、USB2.0或USB3.0标准LGA封装结构存储器件封装存储器件来使用。参见图5，当所述存储控制晶片4是SD存储控制晶片，则所述基板2下表面的SD-USB引脚焊盘240为至少9个，也即相当于现有技术中SD卡的9个引脚，通过该SD存储控制晶片的可选择作为SD存储器件使用。参见图6，当所述存储控制晶片4是USB 2.0存储控制晶片，则所述基板2下表面的SD-USB引脚焊盘240至少为4个，也即相当于现有技术中USB2.0的存储器件的9个引脚，通过USB2.0存储控制晶片可选择地作为USB2.0存储器件使用。参见图7，当所述存储控制晶片4是USB 3.0存储控制晶片，则所述基板2下表面的SD-USB引脚焊盘240为5个。也即相当于现有技术中USB 3.0的存储器件的9个引脚，通过USB2.0存储控制晶片可选择地作为USB2.0存储器件使用。当上述的各存储器件需要做为LGA封装结构的普通FLASH存储器件时，通过存储控制晶片4，令所述存储器底部的焊盘可设定为如图8所示，以符合此类器件的输入输出要求。上述各例中各所述闪存焊盘210和SD-USB引脚焊盘240即要分块排布或交错排布的，只是设计PCB基板2预先设计好。扩展了 LGA封装标准的用途，相比传统的用户报文协议UDP (User DatagramProtocol)的封装体(如USB2.0、USB3.0或SD)具有容量更大的优点，而且此类LGA封装器件满足高端MID、SSD应用的情况下，对余下分级产品能够转做SD功能、USB2.0或USB3.0功能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SD/USB2.0/USB3.0标准的LGA封装存储器件，包括单层双面的PCB基板（2）以及基于其上的NAND?FLASH闪存晶片（1），其特征在于：还包括位于所述PCB基板（2）上的存储控制晶片（4）；所述NAND?FLASH闪存晶片（1）和存储控制晶片（4）的各电连接点分别通过金属导线（5）与基板（2）上表面的闪存晶片焊盘（21）和存储控制焊盘（24）一一对应地焊接；所述基板（2）下表面分布有闪存焊盘（210）和SD?USB引脚焊盘（240）；各所述闪存焊盘（210）与各所述闪存晶片焊盘（21）电连接；所述SD?USB引脚焊盘（240）与所述存储控制焊盘（24）电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王树锋，刘纪文，
申请(专利权)人：深圳市晶凯电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：