具有再分布结构的集成电路封装件制造技术

一种半导体封装件包括第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、以及与第一侧面和第二侧面垂直的第三侧面。该半导体封装件包括：第一引脚，设置成接近或靠近第一侧面；第二引脚，设置成接近或靠近第二侧面；半导体芯片堆叠件，设置在第一引脚和第二引脚之间且包括多个半导体芯片；再分布结构，设置在半导体堆叠件上。半导体堆叠件中的至少一个半导体芯片包括设置成接近或靠近第三侧面的多个第一芯片焊盘，再分布结构包括：第一再分布焊盘，设置成接近或靠近第一侧面且电连接到第一引脚；第二再分布焊盘，设置成接近或靠近第二侧面且电连接到第二引脚；第三再分布焊盘，设置成接近或靠近第三侧面且电连接到第一芯片焊盘中的第一个和第一再分布焊盘。

【技术实现步骤摘要】
具有再分布结构的集成电路封装件
本专利技术构思的实施例涉及多种具有再分布结构的集成电路封装件。
技术介绍
对提供高速运行、高容量和低功耗的半导体封装件的需求正在增加。因此，将半导体封装件的引脚(lead)电连接到半导体芯片的芯片焊盘的技术可能变得越来越复杂和/或困难。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了一种具有再分布结构的半导体封装件。本专利技术构思的实施例提供了一种具有对称的信号结构的半导体封装件。本专利技术构思的实施例提供了一种形状各异的再分布结构。本专利技术构思的实施例提供了一种包括再分布结构和逻辑芯片的半导体封装件。本专利技术构思的实施例提供了多种包括具有再分布结构的半导体封装件的电子系统。将于本专利技术构思中解决的问题不限制于以上所述，且基于以下描述，本领域普通技术人员可以清楚地理解没有描述到的其他问题。根据本专利技术构思的一些方面，提供了一种具有第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、以及垂直于第一侧面和第二侧面的第三侧面的半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一引脚，设置成接近或靠近第一侧面；第二引脚，设置成靠近或接近第二侧面；半导体芯片堆叠件，设置在第一引脚和第二引脚之间且包括多个半导体芯片；和再分布结构，设置在半导体芯片堆叠件上，其中，半导体堆叠件中的至少一个半导体芯片包括设置成接近或靠近第三侧面的多个第一芯片焊盘。再分布结构包括：第一再分布焊盘，设置成接近或靠近第一侧面且电连接到第一引脚；第二再分布焊盘，设置成接近或靠近第二侧面且电连接到第二引脚；和第三再分布焊盘，设置成接近或靠近第三侧面且电连接到第一芯片焊盘中的第一个和第一再分布焊盘。根据本专利技术构思的其他方面，提供了一种具有第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、以及垂直于第一侧面和第二侧面的第三侧面的半导体封装件。所述半导体封装件包括：多个第一引脚，设置成接近或靠近第一侧面；多个第二引脚，设置成靠近或接近第二侧面；半导体芯片堆叠件，设置在第一引脚和第二引脚之间，其中，半导体芯片堆叠件包括下面的半导体芯片和上面的半导体芯片；以及再分布结构，设置在半导体芯片堆叠件上，其中，下面的半导体芯片包括设置成接近或靠近垂直于第一侧面和第二侧面的第三侧面的下面的芯片焊盘，上面的半导体芯片包括设置成接近或靠近第三侧面的上面的芯片焊盘，第一引脚包括：第一外引脚，具有设置成接近或靠近第一侧面的一端和另一端；和第一内引脚，具有设置成接近或靠近第一侧面的一端和穿过半导体芯片的下部(例如，在半导体芯片下面穿过或在半导体芯片之下穿过)且延伸为接近或靠近第三侧面以电连接到下面的芯片焊盘的另一端，再分布结构包括：第一再分布焊盘，设置成接近或靠近第一侧面且电连接到第一外引脚；第二再分布焊盘，设置成接近或靠近第二侧面且电连接到第二引脚中的一个；第三再分布焊盘，设置成接近或靠近第三侧面且电连接到上面的芯片焊盘；以及第一再分布互连件，将第一再分布焊盘电连接到第三再分布焊盘。根据本专利技术构思的进一步的实施例，一种集成电路装置封装件包括：第一引脚和第二引脚，分别与所述封装件的相对的第一侧面和第二侧面相邻；芯片堆叠件，包括位于所述封装件的第一侧面和第二侧面之间的多个集成电路芯片。至少一个芯片包括与所述封装件的第三侧面相邻的从第一侧面延伸到第二侧面的多个芯片焊盘。在芯片堆叠件上与芯片堆叠件的外围边缘相邻地设置再分布结构。再分布结构包括将第一引脚和第二引脚电连接到与第三侧面相邻的对应的芯片焊盘的导电互连件。在一些实施例中，再分布结构的导电互连件可以是大体上对称的，以提供从与所述封装件的第一侧面和相对的第二侧面相邻的第一引脚和第二引脚至与所述封装件的第三侧面相邻的对应的芯片焊盘的电学长度相似的信号路径。在一些实施例中，再分布结构可以包括：第一再分布焊盘，邻近所述封装件的第一侧面处的所述芯片堆叠件的外围边缘；第二再分布焊盘，邻近所述封装件的第二侧面处的所述芯片堆叠件的外围边缘；多个第三再分布焊盘，邻近所述封装件的第三侧面处的所述芯片堆叠件的外围边缘。导电互连件可以将第一再分布焊盘和第二再分布焊盘电连接到对应的第三再分布焊盘。第一再分布引线可以将第一引脚连接到第一再分布焊盘，第二再分布引线可以将第二引脚连接到第二再分布焊盘，第三引线可以将对应的芯片焊盘连接到对应的第三再分布焊盘。在一些实施例中，第一引脚和第二引脚可以是与芯片堆叠件的外围边缘相邻的第一外引脚和第二外引脚，第一内引脚和第二内引脚可以在芯片堆叠件下面分别从在第一侧面和第二侧面处的相邻的芯片堆叠件的外围边缘延伸到在第三侧面处的相邻的芯片堆叠件的外围边缘。第一内引脚和第二内引脚可以电连接到与第三侧面相邻的对应的芯片焊盘。在一些实施例中，导电互连件可以包括沿再分布结构的表面延伸的平面的导电互连件、中间再分布引线和/或至少部分地延伸通过再分布结构的通孔。在一些实施例中，再分布结构可以包括芯片堆叠件的最上面的芯片上的芯片级或晶片级的互连件。在一些实施例中，再分布结构可以设置在芯片堆叠件上的插入件基板上并且与芯片堆叠件中的芯片不同。在具体实施方式部分和说明书附图部分中包括了本专利技术构思的其他实施例的细节。除了以上实施例的任意和所有组合以外，所有这样的另外的实施例也意在被包括在本说明书中、意在被包括在本专利技术的范围内、且意在由权利要求保护。附图说明通过对本专利技术构思的如附图中所示的优选的实施例进行更加详细地描述，本专利技术构思的前述和其他特征和优点将变得清楚，其中，贯穿不同的示图，相同的标号指示相同的部件。附图不需要是按比例的，而是把重点放在示出本专利技术构思的原理上。在附图中：图1A是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的分解的透视图，图1B是内部透视图，图1C是内部俯视图，以及图1D和图1E是纵向剖视图；图1F和图1G是根据本专利技术构思的多种实施例的插入件的再分布结构的布线构思的剖视图；图2A和图2B是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装件10B的内部透视图和剖视图；图2C和图2D是根据本专利技术构思多种实施例的插入件的再分布结构的布线构思的剖视图；图3A是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的内部透视图，图3B是根据本专利技术构思的一些实施例的插入件的剖视图；图4A和4B是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的内部透视图和俯视图；图4C和4D是根据本专利技术构思的多种实施例的插入件的俯视图；图5A是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的内部透视图；图5B至图5D是根据本专利技术构思的多种实施例的半导体芯片堆叠件的详细的再分布结构的剖视图；图6A是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的内部透视图；图6B至图6D是根据本专利技术构思的多种实施例的半导体芯片堆叠件的再分布结构的剖视图；图7A是根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装件的内部透视图；图7B是用于对根据本专利技术构思的一些实施例的半导体芯片堆叠件的再分布结构进行描述的最上面的半导体芯片的剖视图；图8至图10是根据本专利技术构思的多种实施例的半导体封装件10H的内部透视图；图11A至图14C是根据本专利技术构思的多种实施例的半导体封装件的内部透视图和剖视图；图15是根据本专利技术构思的多种实施例的包括至少一个半导体封装件的半导体模块的示图；图16是根据本专利技术构思的多种实施例的包括至少一个半导体装置的电子系统的框图；图17是根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，该半导体封装件具有第一侧面、第二侧面以及与第一侧面和第二侧面垂直的第三侧面，所述半导体封装件包括：第一引脚，与第一侧面相邻；第二引脚，与第二侧面相邻；半导体芯片堆叠件，在第一引脚和第二引脚之间且包括多个半导体芯片；以及再分布结构，在半导体芯片堆叠件上，其中，半导体堆叠件中的至少一个半导体芯片包括设置成接近第三侧面的多个第一芯片焊盘，其中，所述再分布结构包括：第一再分布焊盘，与第一侧面相邻且电连接到第一引脚；第二再分布焊盘，与第二侧面相邻且电连接到第二引脚；以及第三再分布焊盘，与第三侧面相邻且电连接到第一芯片焊盘中的第一个和第一再分布焊盘。

【技术特征摘要】
2011.12.30 KR 10-2011-01470341.一种半导体封装件，该半导体封装件具有第一侧面、第二侧面以及与第一侧面和第二侧面垂直的第三侧面，所述半导体封装件包括：第一引脚，与第一侧面相邻；第二引脚，与第二侧面相邻；半导体芯片堆叠件，在第一引脚和第二引脚之间且包括多个半导体芯片；以及再分布结构，在半导体芯片堆叠件上，其中，半导体芯片堆叠件中的至少一个半导体芯片包括设置成接近第三侧面的多个第一芯片焊盘，其中，所述再分布结构包括：第一再分布焊盘，与第一侧面相邻且电连接到第一引脚；第二再分布焊盘，与第二侧面相邻且电连接到第二引脚；以及第三再分布焊盘，与第三侧面相邻且电连接到第一芯片焊盘中的第一个和第一再分布焊盘，其中，第一引脚包括具有在半导体芯片堆叠件下面经过且延伸为与第三侧面相邻的一端的第一内引脚。2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，半导体芯片堆叠件中的至少一个半导体芯片包括与第三侧面相邻且电连接到第一内引脚的一端的第二芯片焊盘。3.如权利要求2所述的半导体封装件，其中，第二引脚包括具有在半导体芯片堆叠件下面经过且延伸为与第三侧面相邻的一端的第二内引脚。4.如权利要求3所述的半导体封装件，其中，半导体芯片堆叠件中的至少一个半导体芯片包括与第三侧面相邻且电连接到第二内引脚的一端的第三芯片焊盘。5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，再分布结构包括与第三侧面相邻且电连接到第二再分布焊盘和第一芯片焊盘中的第二个的第四再分布焊盘。6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，再分布结构包括将第一再分布焊盘电连接到第一芯片焊盘中的第一个的水平延伸的第一再分布互连件。7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中，再分布结构包括三维连接第一再分布互连件的部分的第一再分布引线。8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，再分布结构包括：上互连件；下互连件，以及再分布通孔，垂直地将上互连件连接到下互连件。9.如权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括安装在半导体芯片堆叠件上的插入件，其中，再分布结构设置在插入件上。10.如权利要求9所述的半导体封装件，其中，插入件包括：插入件基板，以及金属互连件，形成在插入件基板中，其中，金属互连件的部分限定第一再分布焊盘、第二再分布焊盘和/或第三再分布焊盘。11.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，以俯视图观看，半导体芯片堆叠件中的每个半导体芯片的芯片焊盘对齐，其中，所述半导体封装件还包括电连接对齐的芯片焊盘的芯片间引线。12.如权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在再分布结构上的逻辑芯片，其中，逻辑芯片包括电连接到第一再分布焊盘的第一逻辑芯片焊盘。13.如权利要求12所述的半导体封装件，其中，逻辑芯片包括电连接到第一芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴徹，姜善远，金吉洙，白中铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：