【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造
，涉及一种，用于提高光刻的成像准确度、焦深等性能，尤其涉及一种利用计算机模拟技术。
技术介绍
光刻工艺是集成电路制造中最为重要的工艺步骤之一，主要作用是将掩膜版上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的40%，耗费时间约占整个硅片工艺的40 60%。因此，提高光刻的效果能有效降低硅片制造的成本。通过计算机模拟和优化技术提高光刻工艺的性能，是一种可靠的办法。现有的技术，多为单独对光刻工艺光源或者掩膜版进行优化，主要有(1)优化参数化光源。这种方法采用传统光源形状或者多个传统光源形状的线性组合，对决定光源性能的若干参数进行优化，例如，选取环形光源，优化其内径和外径的参数。(2)用若干小弓形组合形成光源，在空间频域内优化弓形的组合方式。(3)用像素点矩阵表示光源的光照强度分布，将确定光源光照强度分布的问题通过数学推导的方式归结为一个非负最小二乘问题，然后利用目前已有的解决非负最小二乘问题的软件来计算。(4)用遗传算法来确定掩膜版图形。(5)用模拟退火算法来确定掩膜版图形。(6)用随...
【技术保护点】
１．一种确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版的方法，其特征在于，包含以下步骤：（１）用矩阵Γ表示光刻工艺的光源的初始光照强度分布，所述矩阵Γ的元素对应于所述光源中的像素点，所述矩阵Γ各个元素的元素值对应于该像素点的光照强度；（２）归一化所述矩阵Γ，得到矩阵γ：获取光刻系统所能够承受的最大光照强度Γｍａｘ，并将所述矩阵Γ中每一个元素值都除以Γｍａｘ，得到矩阵γ；（３）采用公式θ＝ａｒｃｃｏｓ（２γ－１），将所述矩阵γ转换为矩阵θ；（４）用像素点矩阵ｍ表示初始掩膜图形，所述矩阵ｍ的元素对应于所述掩膜图形中的像素点，各个所述元素的元素值对应于所述像素点的透光特性；（５）采用公式...
【技术特征摘要】
1. 一种确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版的方法，其特征在于，包含以下步骤(1)用矩阵Γ表示光刻工艺的光源的初始光照强度分布，所述矩阵Γ的元素对应于所述光源中的像素点，所述矩阵Γ各个元素的元素值对应于该像素点的光照强度；(2)归一化所述矩阵Γ，得到矩阵Y获取光刻系统所能够承受的最大光照强度 rmax，并将所述矩阵Γ中每一个元素值都除以rmax，得到矩阵Y ；(3)采用公式θ=arccoM2Y-l)，将所述矩阵Y转换为矩阵θ ；(4)用像素点矩阵m表示初始掩膜图形，所述矩阵m的元素对应于所述掩膜图形中的像素点，各个所述元素的元素值对应于所述像素点的透光特性；(5)采用公式Φ= arccos ^ii-I)，将所述矩阵m转换为矩阵Φ ；(6)确定光刻过程中掩膜图形的成像准确度和焦深，分别计算出硅片上刻出的图形的像素点在位于焦平面上和偏离焦平面两种情况下与理想图形的像素点之间误差的平方和， 将两个平方和分别乘以给定的权重系数α ρ α 2后再相加，所述权重系数α ρ α 2取范围为 0-1，得到的结果，再加上光源形状复杂度补偿项和掩膜版离散性补偿项，作为目标函数；所述光源形状复杂度补偿项的计算方法为将矩阵Y所有元素向前补零移动一位形成一矩阵Y1、向后补零移动一位形成矩阵Y2、向左补零移动一位形成矩阵Y3、向右补零移动一位形成矩阵Y4、向前补零移动一位再向左补零移动一位形成矩阵Y5、向前补零移动一位再向右补零移动一位形成矩阵Y6、向后补零移动一位再向左补零移动一位形成矩阵 、 向后补零移动一位再向右补零移动一位形成矩阵Y8，分别计算Y与Y1到Y8的像素点之间误差的平方和，将这8个平方和结果加起来即为光源形状复杂度补偿项的值，再乘以给定的权重系数；所述掩膜版离散性补偿项的计算方法为将矩阵m每一个元素都乘以 η，再计算其正弦值，得到一个新的矩阵R，将矩阵R的每一个元素都相加求和，再乘以给定的权重系数β 2，所述两个补偿项的权重系数β ρ β 2都取0. 001 ；(7)采用Abbe成像模型计算得到所述掩膜图形经过光刻系统作用之后所成像的光照强度分布，将所述光照强度分布用一个规模与所述矩阵m—致的矩阵I表示，并对该矩阵I 进行归一化；(8)模拟光刻胶效应来计算所述硅片上刻出的图形，并将该硅片上刻出的图形用矩阵 Z表示，所述矩阵Z的元素对应于所述刻出图形中的像素点，矩阵Z各个元素的元素值为对应的像素点是否曝光，所述矩阵Z采用Sigmoid函数计算得到；(9)利用所述矩阵z、I、m和θ计算出所述目标函数对所述矩阵θ的梯度VF(0)；(10)利用公式θ(+1)= θ(η)-S1VjFXeyxi...
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