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本发明涉及一种确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法，属于集成电路制造技术领域，包括：确定光源的初始形状和初始光照强度，并用矩阵表示；确定掩膜版的初始图形，并用像素点矩阵表示；以光刻过程中的成像准确度和焦深为基本优化目标，再加入两...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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