具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法技术

一种具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括中介层基板、第一介电层、被动组件层、第二介电层及重布层。第一介电层形成于中介层基板，中介层基板具有导通孔，第一介电层具有第一开孔，导通孔从第一开孔露出。被动组件层形成于第一介电层上且具有第二开孔，第一开孔从第二开孔露出。第二介电层形成于被动组件层。重布层形成于被动组件层，重布层经由第二介电层、被动组件层的第二开孔及第一介电层的第一开孔电性连接于导通孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
传统的中介层包括硅基板、第一绝缘层、第二绝缘层及线路层。第一绝缘层及第二绝缘层分别形成于硅基板的相对二面上。硅基板具有至少一导通孔，线路层形成于第一绝缘层与第二绝缘层其中一者上，并电性连接于导通孔。然而，传统中介层的线路层仅单纯作为电性连接导通孔的作用，除此之外并无其它用途，使得线路层的用途受到限制。
技术实现思路
本专利技术有关于一种半导体结构及其制造方法，在制作中介层的过程中，利用中介层的线路层形成被动组件结构，以增加中介层的线路层的用途，扩展中介层的应用领域。根据本专利技术的第一方面，提出一种半导体结构。半导体结构包括一中介层基板、 一第一介电层、一被动组件层、一被动组件层、一第二介电层及一重布层(re-distribution layer，RDL)。中介层基板具有一导通孔(conductive via)。第一介电层形成于中介层基板，其中第一介电层具有一第一开孔，第一开孔露出导通孔。被动组件层形成于第一介电层上，其中被动组件层具有一第二开孔，其中第二开孔露出第一开孔。第二介电层形成于被动组件层。重布层形成于第二介电层，重布层经由第二介电层、被动组件层的第二开孔及第一介电层的第一开孔电性连接于导通孔。根据本专利技术的第二方面，提出一种半导体结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一中介层基板，中介层基板具有一导通孔；形成一第一介电层于中介层基板；形成一被动组件层于第一介电层；邻近第一介电层形成一图案化正光阻层；以图案化正光阻层作为屏蔽(mask)，于第一介电层形成一第一开孔，其中，第一开孔露出导通孔；移除图案化正光阻层；形成一第二介电层于被动组件层；以及，形成一重布层于第二介电层，其中重布层经由第一介电层的第一开孔性电性连接于导通孔。为了对本专利技术的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举至少一实施例，并配合附图，作详细说明如下附图说明图1绘示依照本专利技术一实施例的半导体结构的剖视图。图2绘示图1中电感结构、电容结构及电阻结构的上视图。图3绘示依照本专利技术另一实施例的半导体结构的剖视图。图4A至4L绘示图1的半导体结构的制造示意图。图5A至5E绘示图3的半导体结构的制造示意图。4主要组件符号说明100、200 半导体结构102:中介层基板102a:第一面10 第二面104、204 第一介电层104a、204a 第一开孔106、206 被动组件层106a、206a 第二开孔106al、206al 第一子开孔106a2、206a2 第二子开孔108、208 第二介电层108a、208a 第三开孔108b、l(M3 第一电极开孔108c、208c 第二电极开孔110、210:重布层110a、210a 第一电性连接部110b、210b 第二电性连接部110c、210c 第三电性连接部112:导通孔114、214 第一金属层114'第一金属材料114s、116s、204s、214s、216s、218s、220s 侧面116、216 第二金属层116a、216a 电阻电极116b:第一电容电极116c、204b —部分116'第二金属材料118、218 电容介电层118'电容介电材料120,220 第三金属层120'第三金属材料122:第一电性触点124:第二电性触点126:第一介电保护层第四开孔132、232 图案化正光阻层132a、232a 开孑L134:第二介电保护层134a 第五开孔136 载板C 电容结构D1、D2:内径L 电感结构R 电阻结构具体实施例方式请参照图1，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体结构的剖视图。半导体结构100包括中介层基板102、第一介电层104、被动组件层106、第二介电层108及重布层 (re-distribution layer, RDL)110。半导体结构100可说是具有被动组件结构之中介层(interposer)，因此增加半导体结构100的用途，扩展其应用领域，而其被动组件层106于中介层的制作过程中形成。中介层基板102具有至少一导通孔(conductive via) 112及相对的第一面10 与第二面102b。中介层基板的导通孔延伸于中介层基板的第一面与第二面之间。例如，导通孔112 从中介层基板102的第一面10 延伸至第二面102b，即导通孔112贯穿中介层基板102。 第一介电层104的材质例如是高分子材料，其形成于中介层基板102的第一面10 上并具有至少一第一开孔104a，第一开孔10 露出对应的导通孔112。被动组件层106形成于第一介电层104上，其中被动组件层106具有至少一第二开孔106a，第二开孔106a露出对应的第一开孔l(Ma。重布层形成于被动组件层且经由第二介电层、被动组件层与第一介电层电性连接于中介层基板的导通孔。例如，第二介电层108具有至少一第三开孔108a，重布层110经由第二介电层108的第三开孔108a、被动组件层106的第二开孔106a及第一介电层104的第一开孔10 电性连接于中介层基板102的导通孔112。第一开孔、第二开孔、第三开孔与导通孔重迭。例如，第一开孔104a、第二开孔 106a、第三开孔108a与导通孔112沿导通孔112的延伸方向重迭。如此，第一开孔104a、第二开孔106a及第三开孔108a可共同露出导通孔112，然此非用以限制本实施例。半导体结构100具有电感结构、电容结构与电阻结构中至少一者。例如，请同时参照图1及图2，图2绘示图1中电感结构、电容结构及电阻结构的上视图。被动组件层106 包括第一金属层114、第二金属层116、电容介电层118及第三金属层120。第一金属层114 形成于第一介电层104上，第二金属层116形成于第一金属层114上，电容介电层118形成于第二金属层116上，而第三金属层120形成于电容介电层118上。其中，第一金属层114 与第二金属层116构成至少一电阻结构R，而第二金属层116、电容介电层118与第三金属层120构成至少一电容结构C。第一金属层114、第二金属层116、电容介电层118及第三金属层120例如是图案化结构，以构成电阻结构R及电容结构C。第二介电层形成于被动组件层。例如，第二介电层108至少覆盖被动组件层106 的电容介电层118及第三金属层120。此外，第二介电层108更具有第一电极开孔108b及第二电极开孔108c。第三金属层120从第一电极开孔108b露出，而第二金属层116从第二电极开孔108c露出。重布层形成于被动组件层上且具有电感结构。例如，重布层110具有电感结构L， 且重布层Iio更具有第一电性连接部110a、第二电性连接部IlOb及第三电性连接部110c。 重布层110的第一电性连接部IlOa经由第三开孔108a及第二开孔106a电性接触于被动组件层106的第一金属层114及第二金属层116，且更经由第一介电层104的第一开孔10 电性接触于导通孔112。重布层110的第二电性连接部IlOb经由第一电极开孔108b电性接触于被动组件层106的第三金属层120，重布层110的第三电性连接部IlOc经由第二电极开孔108c电性接触于被动组件层106的第二金属层116。第本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有被动组件结构的半导体结构，包括：一中介层基板，具有一导通孔；一第一介电层，形成于该中介层基板上，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一开孔露出该导通孔；一被动组件层，形成于该第一介电层上，其中该被动组件层具有一第二开孔，其中该第二开孔露出该第一开孔；一第二介电层，形成于该被动组件层；以及一重布层，形成于该第二介电层上，该重布层经由该第二介电层、该被动组件层的该第二开孔及该第一介电层的该第一开孔电性连接于该导通孔。

【技术特征摘要】
1.一种具有被动组件结构的半导体结构，包括 一中介层基板，具有一导通孔；一第一介电层，形成于该中介层基板上，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一开孔露出该导通孔；一被动组件层，形成于该第一介电层上，其中该被动组件层具有一第二开孔，其中该第二开孔露出该第一开孔；一第二介电层，形成于该被动组件层；以及一重布层，形成于该第二介电层上，该重布层经由该第二介电层、该被动组件层的该第二开孔及该第一介电层的该第一开孔电性连接于该导通孔。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该重布层具有一电感结构。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该被动组件层包括 一第一金属层，形成于该第一介电层上；一第二金属层，形成于该第一金属层上； 一电容介电层，形成于该第二金属层上；以及一第三金属层，形成于该电容介电层上；其中，该第一金属层及该第二金属层构成至少一电阻结构，以及该第二金属层、该电容介电层及该第三金属层构成至少一电容结构。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二介电层具有一第三开孔，该被动组件层经由该第二介电层的该第三开孔、该被动组件层的该第二开孔及该第一介电层的该第一开孔电性连接于该导通孔。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一开孔、该第二开孔、该第三开孔及该导通孑L重迭。6.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一金属层的材质选自于氮化钽(TaN)、 InyriO3、二氧化钌(RuO2)、磷化镍(NiP)、铬化镍(NiCr)、NCAlSi及其组合所构成的群组。7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该被动组件层从该第二开孔露出，该重布层覆盖从该第二开孔露出的该被动组件层。8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二介电层覆盖该被动组件层的一侧面， 该第二介电层隔离该重布层与该被动组件层的该侧面。9.一种具有被动组件结构的半导体结构的制造方法，包括 提供一中介层基板，该中介层基板具有一导通孔；形成一第一介电层于该中介层基板上； 形成一被动组件层于该第一介电层上； 邻近该第一介电层形成一图案化正光阻层；以该图案化正光阻层作为屏蔽，于该第一介电层形成一第一开孔，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建桦，李德章，张勇舜，张添贵，吴怡婷，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71